[發明專利]彩膜基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201410280359.9 | 申請日: | 2014-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN104078491B | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 孫宏達;王東方;林俊儀;方金鋼 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彩膜基板 及其 制作方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種彩膜基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。
背景技術
目前,白光有機發光二極管(white organic light-emitting diodes,WOLED)+彩膜基板(Color Filter,CF)技術采用頂發射電致發光(electroluminescent,EL),具有開口率高等優點,已經被業界關注。
現有技術中的WOLED陣列基板基本結構如圖1所示,其中1為陣列襯底基板;2為柵極;3為柵極絕緣層;4為有源層;5為刻蝕阻擋層;6為源漏層;7為鈍化層;8為樹脂絕緣層;9為像素電極(ITO)層,此處像素電極層用作陽極;10為發光材料;11為陰極材料;12為像素界定層。彩膜基板的基本結構如圖2所示:13為襯底基板;14為黑矩陣;15為彩色濾光片;16為絕緣材料層;17為金屬線;18為隔墊物(Photo spacer,PS);19為ITO輔助電極層。
由于WOLED+CF要求陣列基板和彩膜基板之間的間隙必須足夠大,需要形成高度較高的PS并在PS上形成ITO薄膜。但是這樣會使得壓盒時PS上披覆的ITO易斷裂,輔助電極的作用不明顯,同時還會造成陰極的破損,不利于EL材料的發光。圖3為壓盒時PS材料在陰極表面造成破損的形貌示意圖,圖中a處即為陰極材料處微觀可觀測到的裂紋。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明提供一種彩膜基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置,以解決現有技術中壓盒工藝后陰極材料和ITO易破損的技術問題。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本發明提供一種彩膜基板,包括:襯底基板以及形成在所述襯底基板一側的位于彩色子像素區域中的單層彩色膜層,和位于一部分所述彩色子像素區域之間的由多個單層彩色膜層層疊而成的彩色疊膜層;
所述彩膜基板還包括位于另一部分所述彩色子像素區域之間的隔墊物,以及覆蓋在所述彩色疊膜層表面的輔助電極層;所述隔墊物的頂面高于所述彩色疊膜層的頂面,所述隔墊物在高度方向可被彈性壓縮。
進一步地,
所述單層彩色膜層包括紅色膜層、藍色膜層、綠色膜層。
進一步地,
所述彩色疊膜層為紅色膜層、藍色膜層和綠色膜層中的兩種或兩種以上的疊層。
進一步地,
所述隔墊物的分布密度小于所述彩色疊膜層的分布密度。
進一步地,
所述隔墊物的坡度大于所述彩色疊膜層的坡度。
進一步地,
所述隔墊物和所述單層彩色膜層之間包括輔助電極層;
和/或,所述隔墊物表面包括輔助電極層。
另一方面,本發明還提供一種顯示面板,包括:對盒的陣列基板和如上任一項所述的彩膜基板,所述隔墊物處于在高度方向被壓縮的狀態使所述彩色疊膜層表面的輔助電極層與所述陣列基板的陰極接觸。
再一方面,本發明還提供一種顯示裝置,包括如上所述的顯示面板。
再一方面,本發明還提供一種彩膜基板制作方法,包括:
在襯底基板的一側依次形成各單層彩色膜層,其中在每個彩色子像素區域中形成一個單層彩色膜層,在一部分所述彩色子像素區域之間通過使多個單層彩色膜層層疊形成彩色疊膜層;
在另一部分所述彩色子像素區域之間形成隔墊物;
在所述彩色疊膜層表面形成輔助電極層,其中,所述隔墊物的頂面高于所述彩色疊膜層的頂面,所述隔墊物在高度方向可被彈性壓縮。
進一步地,
所述單層彩色膜層包括紅色膜層、藍色膜層、綠色膜層。
進一步地,
所述彩色疊膜層由紅色膜層、藍色膜層和綠色膜層中的兩種或兩種以上層疊而成。
進一步地,所述在另一部分所述彩色子像素區域之間形成隔墊物;在所述彩色疊膜層表面形成輔助電極層還包括:
在單層彩色膜層上形成隔墊物;在所述單層彩色膜層、彩色疊膜層和隔墊物的表面形成輔助電極層;
或,在所述單層彩色膜層和彩色疊膜層表面形成輔助電極層;在所述輔助電極層上形成隔墊物。
進一步地,
所述隔墊物的分布密度小于所述彩色疊膜層的分布密度。
進一步地,
所述隔墊物的坡度大于所述彩色疊膜層的坡度。
(三)有益效果
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





