[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201410280113.1
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN105280687B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 賴二琨
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L23/528;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體結構，包括：

一導電層，定義出相鄰的多個第一開口；

一導電構造，環繞該導電層介于這些第一開口之間的部分；以及

一介電層，分開該導電層與該導電構造；

其中，該導電構造包括：

多個第一導電部分，其填充該導電層的這些第一開口；以及

一第二導電部分，連接這些第一導電部分，并配置在該導電層的上、下方。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，包括：

多個該導電構造；以及

多個絕緣插塞，其電性絕緣這些導電構造。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括多個絕緣插塞，其中該導電構造包括互相分開的多個第一導電部分，

這些絕緣插塞配置在一第一方向上的這些第一導電部分之間，以與該介電層在該導電層中定義出往該第一方向延伸的一導電條紋。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該導電構造環繞在該導電層介于這些第一開口之間的上、下表面與相對側壁上。

5.一種半導體結構，包括：

疊層的多個導電條紋；

一導電構造，環繞這些導電條紋；以及

一介電層，分開這些導電條紋與該導電構造；

其中，這些導電條紋的延伸方向是垂直于該導電構造的延伸方向，這些導電條紋是用作位線，該導電構造是用作字線；

該導電構造包括：

多個第一導電部分，該多個第一導電部分互相分開；以及

一第二導電部分，連接這些第一導電部分。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，更包括多個絕緣插塞，這些導電條紋是由這些絕緣插塞與該介電層定義出。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的半導體結構，其為具有環繞式柵極(Gate-all-around，GAA)結構的三維疊層存儲器陣列。

8.一種半導體結構的制造方法，包括：

交互疊層多個絕緣層與多個導電層；

形成多個第一開口貫穿這些絕緣層與這些導電層；

移除這些絕緣層被這些第一開口露出的部分，以在這些絕緣層中形成尺寸大于這些第一開口的多個第二開口；

形成一介電層覆蓋這些導電層被這些第一開口與這些第二開口露出的部分；以及

形成多個導電構造于該介電層上，其中多個該導電構造填充于介電層的第一開口及絕緣層的第二開口。