1.一種電流?；煦缯袷幤鳎卣髟谟冢涸撾娏髂；煦缯袷幤靼ǖ谝痪S恩型電流模正弦振蕩電路、第二維恩型電流模正弦振蕩電路和非線性環節；將第一維恩型電流模正弦振蕩電路的輸出信號通過非線性環節后與第二維恩型電流模正弦振蕩電路的輸出信號相耦合，得到連續的混沌振蕩信號。

2.根據權利要求1所述的一種電流?；煦缯袷幤?，其特征在于：所述第一維恩型電流模正弦波振蕩電路包括第一電容 、第二電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、和第一電流傳輸器CCII1，所述第三電阻與所述第二電容并聯，所述第三電阻與所述第二電容的一個連接端接地，所述第三電阻與所述第二電容的另一個連接端連接所述第一電容的左端，所述第一電阻的上端點與所述第一電容右端連接，所述第一電阻的下端接地，所述第一電流傳輸器CCII1的第一端口連接所述第二電阻的一端，第二電阻的另一端接地，所述第一電流傳輸器CCII1的第二端口接至所述第一電容的右端，所述第一電流傳輸器CCII1的第三端口連接第一電容的左端。

3.根據權利要求2所述的一種電流?；煦缯袷幤鳎涮卣髟谟冢核龅谝浑娏鱾鬏斊鰿CII1包括NMOS管M1、M2、M7、M8、M9，PMOS管M3、M4、M5、M6，偏置電壓、、、，以及電源電壓VCC；所述PMOS管M5的柵極和源極分別與所述PMOS管M6的柵極和源極連接，所述PMOS管M3的柵極與所述PMOS管M4的柵極連接，所述PMOS管M5的漏極與所述PMOS管M3的源極相連，所述PMOS管M6的漏極與所述PMOS管M4的源極相連；所述NMOS管M2的漏極與所述PMOS管M3的漏極相連，所述NMOS管M2的源極與所述NMOS管M7的漏極相連，所述NMOS管M1的漏極與所述PMOS管M4的漏極相連，所述NMOS管M1的源極與所述NMOS管M8的漏極相連，所述NMOS管M1的柵極與所述NMOS管M2的柵極相連，所述NMOS管M1的柵極與漏極之間短路，所述NMOS管M7的柵極和源極分別與所述NMOS管M8的柵極與源極連接，所述NMOS管M9的漏極與所述NMOS管M7的源極相連，所述NMOS管M9的源極接至公共接地點；恒壓源VCC接到PMOS管M5的源極，偏置電壓接至PMOS管的柵極，偏置電壓接至PMOS管M3的柵極，偏置電壓接至NMOS管M7的柵極, 偏置電壓接至NMOS管M9的柵極；所述第一電流傳輸器CCII1的第一端口位于NMOS管的源極，所述第一電流傳輸器CCII1的第二端口位于NMOS管的源極，所述第一電流傳輸電器CCII1的第三端口位于PMOS管的漏極。

4.根據權利要求3所述的一種電流?；煦缯袷幤鳎涮卣髟谟冢核鯪MOS管M1、M2、M7、M8、M9的寬長比之比為1：1：1：1：4，所述PMOS管M3、M4、M5、M6的寬長比之比為1：1：2：2，電源電壓VCC為1.8V。

5.根據權利要求4所述的一種電流?；煦缯袷幤?，其特征在于：所述第二維恩型電流模正弦波振蕩電路包括第三電容、第四電容、第四電阻、第五電阻、第六電阻和第二電流傳輸器CCII2，所述第六電阻與所述第四電容并聯，所述第六電阻與所述第四電容的一個連接端接地，所述第三電阻與所述第二電容的另一個連接端連接所述第一電容的左端，所述第四電阻的上端點與所述第三電容右端連接，所述第四電阻的下端接地；所述第二電流傳輸器CCII2的第一端口連接所述第五電阻的一端，第五電阻的另一端接地，所述第二電流傳輸器CCII2的第二端口連接所述第三電容的右端；所述第二電流傳輸器CCII2的第三端口第三電容器的左端。

6.根據權利要求5所述的一種電流?；煦缯袷幤鳎涮卣髟谟冢核龅诙娏鱾鬏斊鰿CII2與第一電流傳輸器CCII1相同。

7.根據權利要求6所述的電流模混沌振蕩器，其特征在于：所述非線性環節包括NMOS管M和偏置電壓；所述NMOS管M的柵極與偏置電壓相連，所述NMOS管M的漏極與所述第一電流傳輸器CCII1的第三端口相連，所述NMOS管M的源極與所述第二電流傳輸器CCII2的第三端口相連；所述NMOS管M的溝道寬度與長度分別為，閾值電壓與特征尺寸分別為和。