[發明專利]增強的晶片清洗方法

在審

• 申請號: 201410279936.2
• 申請日: 2006-02-08
• 公開（公告）號: CN104091771A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 允錫民;J·M·柏依;M·威爾克遜;J·德賴瑞厄斯
• 申請（專利權）人: 蘭姆研究有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23G1/00
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種單晶片清洗系統，包括：

多個不同的流體源；

在操作上連接至所述流體源的近程頭，其中所述近程頭包括多個工藝窗，所述多個工藝窗中每個與所述多個不同的流體源之一流體連通；

襯底支撐件，其被配置為支撐設置于其上的襯底，所述襯底支撐件或所述近程頭線性移動以在所述近程頭和所述襯底的相對表面之間形成來自對應流體源的流體的彎月面，所述近程頭和所述多個工藝窗沿襯底的直徑延伸；以及

與所述襯底支撐件通信的控制器，所述控制器通過所述襯底支撐件或所述近程頭的移動限定所述流體的彎月面在所述襯底的表面上的滯留時間。

2.根據權利要求1所述的系統，還包括：

用于將來自所述流體源之一的流體傳遞給所述工藝窗之一的泵。

3.根據權利要求1所述的系統，其中所述近程頭包括加熱元件，所述加熱元件被配置為將所述流體的溫度升高至處于大約20℃和大約80℃之間。

4.根據權利要求2所述的系統，其中所述控制器通過操縱所述流體向所述近程頭的工藝窗的流速來調整所述流體的彎月面的質量傳遞特性。

5.根據權利要求1所述的系統，其中所述滯留時間小于30秒。

6.根據權利要求1所述的系統，其中以在大約0.5毫米每秒和10毫米每秒之間的線速度控制所述襯底支撐件或所述近程頭的移動。