[發明專利]一種多晶硅制絨溶液及制絨方法無效
| 申請號: | 201410278260.5 | 申請日: | 2014-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN104060325A | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發明(設計)人: | 史磊;錢金梁;陳斌;王步峰 | 申請(專利權)人: | 潤峰電力有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/06 | 分類號: | C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 272000 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 硅制絨 溶液 方法 | ||
1.一種多晶硅制絨溶液,其特征在于包含硝酸、氫氟酸、去離子水、乙醇胺以及PVP(聚乙烯吡咯烷酮),其溶液中各組分的質量百分比為:硝酸50%~65%;氫氟酸8%~18%;乙醇胺0.5%~2%;PVP(聚乙烯吡咯烷酮)0.02%~0.5%;去離子水16%~30%。
2.一種多晶硅制絨溶液制絨方法,其特征在于采用以下順序步驟制得:
A,按照以下質量百分比量取原材料,并按照先后順序加入制絨槽內,并攪拌均勻:去離子水16%~30%;氫氟酸8%~18%;硝酸50%~65%;乙醇胺乙醇胺0.5%~2%;PVP(聚乙烯吡咯烷酮)0.02%~0.5%;
B,將多晶硅片浸入制絨槽內的制絨溶液中反應,控制反應溫度為 5°C?10°C,反應時間為I.5min?3min;
C,將在制絨溶液腐蝕后的多晶硅片取出,使用去離子水進行清洗干凈;
D,在常溫下配制電導率為80-200ms的氫氧化鉀溶液,攪拌均勻后,將步驟C制得的多晶硅片放入進行清洗0.5-3min,以充分去除硅片表面的殘留物;
E,將多晶硅片再次使用去離子水進行清洗干凈;
F,配制體積比為鹽酸:氫氟酸:水=2:1:5.5的鹽酸、氫氟酸混合溶液,并把多晶硅片浸入鹽酸氫氟酸混合溶液中進行清洗2-3min;
G,再次使用去離子水把步驟F制得的多晶硅片進行清洗干凈,然后烘干。
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