[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410277297.6
• 申請(qǐng)日: 2014-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104022079A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李文輝;曾志遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供基板(20)；

步驟2、在所述基板(20)上沉積第一金屬層，并圖案化該第一金屬層，以形成開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極(21)；

步驟3、在所述柵極(21)與基板(20)上沉積柵極絕緣層(22)；

步驟4、在所述柵極絕緣層(22)上沉積氧化物半導(dǎo)體層(23)，并圖案化所述氧化物半導(dǎo)體層(23)；

步驟5、在所述柵極絕緣層(22)和氧化物半導(dǎo)體層(23)上沉積刻蝕阻擋層(24)；

步驟6、采用一道光刻制程對(duì)柵極絕緣層(22)進(jìn)行過(guò)孔處理并圖案化刻蝕阻擋層(24)；

步驟7、在所述刻蝕阻擋層(24)上形成源/漏極(25)；

步驟8、在所述刻蝕阻擋層(24)及源/漏極(25)上依次形成保護(hù)層(26)、平坦層(27)；

步驟9、在所述平坦層(27)及露出的部分源/漏極(25)上形成透明導(dǎo)電層(28)，并圖案化該透明導(dǎo)電層(28)；

步驟10、在所述平坦層(27)及透明導(dǎo)電層(28)上依次形成像素定義層(29)及光阻間隙物(30)。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述基板(20)為透明基板。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述基板(20)為玻璃基板。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述步驟6中，所述光刻制程采用半色調(diào)/灰色調(diào)進(jìn)行曝光，曝光后進(jìn)行干蝕刻或者灰化處理，并剝除光阻層，以形成預(yù)定圖案的刻蝕阻擋層(24)，并對(duì)柵極絕緣層(22)進(jìn)行過(guò)孔處理。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述步驟6中，所述光刻制程進(jìn)行曝光，曝光后進(jìn)行干蝕刻，并剝除光阻層，以形成預(yù)定圖案的刻蝕阻擋層(24)，并對(duì)柵極絕緣層(22)進(jìn)行過(guò)孔處理。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述步驟6中，所述過(guò)孔處理是通過(guò)將過(guò)孔處的柵極絕緣層(22)、刻蝕阻擋層(24)刻蝕掉，露出驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極(21)。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層(23)為銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體層。

8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層(28)由氧化銦錫制成。

9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述步驟9中，在透明導(dǎo)電層(28)上開(kāi)口以提高開(kāi)口率。