[發明專利]利用分層溶解的辦法提高電子注入效率的有機發光二極管器件無效
| 申請號： | 201410276921.0 | 申請日： | 2014-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN104112822A | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發明（設計）人： | 劉德昂;謝承智;錢磊 | 申請（專利權）人： | 蘇州瑞晟納米科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/52;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 分層 溶解 辦法 提高 電子 注入 效率 有機 發光二極管 器件 | ||
【權利要求書】：
1.利用分層溶解的辦法提高電子注入效率的有機發光二極管器件，其特征在于使用了分層溶解的辦法得到納米結構陰極，從而提高電子從陰極的注入效率，其中包括：?
透明導電襯底；?
緩沖層，該緩沖層設置在襯底上，可以降低襯底表面的粗糙度，并能降低襯底和有源層之間的勢壘；?
有源層，該有源層制作在緩沖層上，利用分層溶解的辦法得到一個納米結構界面；?
納米結構電極，該電極設置在有源層上，作為電子的注入層。?
2.如權利要求1所述的利用分層溶解的辦法提高電子注入效率的有機發光二極管器件，其特征在于，使用了分層溶解的辦法制備器件。?
3.如權利要求1所述的利用分層溶解的辦法提高電子注入效率的有機發光二極管器件，其特征在于，使用了分層溶解的辦法得到納米結構的界面。?
4.如權利要求1所述的利用分層溶解的辦法提高電子注入效率的有機發光二極管器件，其特征在于，在納米結構的界面上沉積金屬電極，得到納米結構電極。?
5.如權利要求1所述的利用分層溶解的辦法提高電子注入效率的有機發光二極管器件，其特征在于，器件的納米結構電極，提高了金屬電極與有源層界面處的電場。?
6.如權利要求1所述的利用分層溶解的辦法提高電子注入效率的有機發光二極管器件，其特征在于，金屬電極與有源層界面處的電場的提高促進了電子從金屬電極的注入。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
