[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410276903.2
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104091807A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 王驍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括：位于襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，位于所述漏極上方與所述漏極搭接的像素電極，該像素電極上與漏極搭接的區域為像素電極的搭接部；其特征在于，還包括：

位于所述像素電極下方且與所述漏極接觸的第一絕緣層，所述第一絕緣層沿著從所述搭接部的邊緣向遠離所述搭接部的方向延伸，所述第一絕緣層上露出待與所述搭接部相接觸的漏極，所述第一絕緣層上表面所在的平面低于所述漏極上表面所在的平面。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層上設置有與所述像素電極上除所述搭接部的區域相對應的開口。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層沿所述搭接部的邊緣向遠離所述搭接部的方向延伸，覆蓋源極和漏極之間露出的有源層。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極、漏極和有源層同層設置；所述第一絕緣層的厚度小于所述漏極的厚度。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極和漏極位于所述有源層上方且與所述有源層疊層設置；

所述第一絕緣層的厚度小于所述漏極和有源層的厚度之和。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層為氮化硅膜層或氧化硅膜層。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上制作柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極的過程，以及制作第一絕緣層和像素電極的過程，所述像素電極與所述漏極搭接，該像素電極上與漏極搭接的區域為像素電極的搭接部；

其中，制作第一絕緣層和像素電極的過程，包括：

在形成有所述柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極的基板上，形成所述第一絕緣層和所述像素電極，所述第一絕緣層位于所述像素電極與所述柵極絕緣層之間，沿所述搭接部的邊緣向遠離所述搭接部的方向延伸，所述第一絕緣層上露出待與所述搭接部相接觸的漏極，所述第一絕緣層上表面所在的平面低于所述漏極上表面所在的平面；所述像素電極位于所述漏極和第一絕緣層上與所述露出的漏極搭接。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上制作柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極的過程，包括：

在襯底基板上形成包括所述柵極的圖形；

在形成有所述柵極的襯底基板上形成所述柵極第一絕緣層；

在形成有所述柵極第一絕緣層的襯底基板上形成有源層、源極和漏極的圖形。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，在形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上形成有源層、源極和漏極的圖形，包括：

在形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上形成半導體薄膜；在所述半導體薄膜上形成導電膜層；通過一次構圖工藝，對所述導電膜層和半導體薄膜進行圖案化，形成相互絕緣的源極和漏極的圖形，以及位于源極和漏極下方的有源層的圖形；或者

在形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上形成半導體薄膜，通過構圖工藝對所述半導體層進行圖案化形成所述有源層的圖形；在形成有所述有源層圖形的襯底基板上形成導電膜層，對所述導電膜層進行構圖工藝形成所述源極和漏極的圖形。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6任一所述的陣列基板。