[發明專利]一種用于制備多晶硅錠的坩堝及多晶硅錠的生長方法

有效

• 申請號: 201410276658.5
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN104018222A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 黃仕華;陳達
• 申請（專利權）人: 浙江師范大學
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/10;C30B15/10
• 代理公司: 杭州之江專利事務所(普通合伙) 33216
• 代理人: 朱楓

1.一種用于制備多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述坩堝為中空的矩形結構，底面為正方形；所述正方形的底面上設有若干個的“V”型長槽，所述“V”型長槽均平行于正方形底面的其中一邊；所述“V”型長槽兩邊的夾角為直角。

2.如權利要求1所述的一種用于制備多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述正方形的底面上設有一個“V”型長槽，“V”型長槽位于坩堝底部的中間。

3.如權利要求1所述的一種用于制備多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述正方形的底面上設有兩個互相平行的“V”型長槽，兩個“V”型長槽鄰近坩堝壁的邊的延長線與坩堝壁的交點和兩個長槽相鄰邊的延長線的交點處于同一高度。

4.如權利要求1所述的一種用于制備多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述正方形的底面上設有三個互相平行的“V”型長槽，其中一個長槽位于坩堝底部的中間，另外兩個“V”型長槽鄰近坩堝壁的邊的延長線與坩堝壁的交點和這兩個槽的另一邊的延長線與中間長槽的相鄰邊的延長線的交點處于同一高度。

5.如權利要求1所述的一種用于制備多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述正方形的底面上設有多個互相平行的“V”型長槽，所述“V”型長槽靠近坩堝壁的斜邊的延長線與坩堝壁的交點所處的高度和兩相鄰“V”型長槽的相鄰斜邊的延長線的交點所處的高度是一致的。

6.如權利要求1-5任一項所述的一種用于制備多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述“V”型長槽的槽深為8?mm，槽口距離為16?mm，槽長度與坩堝內底部正方形邊長一致。

7.如權利要求1-5任一項所述的一種用于制備多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述坩堝底面厚度為20?mm，坩堝壁厚度為12?mm，內表面噴涂氮化硅涂層。

8.??一種多晶硅錠的生長方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）控制溫度使“V”型長槽內的熔融硅率先降溫到1410?℃；

2）提升保溫桶使熔融硅從“V”型長槽內的底部開始形核生長；

3）控制保溫桶的提拉速度，使生長速度快的晶體首先達到“V”型長槽的上頂面，“V”型長槽內晶體的結晶速度2?mm/h；

4）加快保溫桶的提拉，以10?mm/h的速度完成接下去的晶體生長，獲得柱狀晶。