[發明專利]一種干法刻蝕等離子損傷修復工藝

在審

• 申請號: 201410276251.2
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104022018A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 呂耀安;翟繼鑫
• 申請（專利權）人: 無錫宏納科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 徐鵬飛;胡彬

技術領域

本發明涉及半導體生產技術，具體地，本發明涉及一種半導體生產技術中干法刻蝕等離子損傷修復工藝。

背景技術

在半導體生產中產品片經常處于等離子環境中，例如等離子環境下的薄膜生長或是等離子環境下的干法刻蝕等。這些工藝雖然各有優點，但也伴隨著等離子損傷的不利因素。產品片在經過等離子體環境后會有一定程度的等離子損傷，這對薄膜的特性是有一定影響的。其產生機理是由于離子體環境下，帶電離子在偏壓下對薄膜的不斷物理轟擊和化學作用，從而對薄膜造成的物理和化學上的損傷。

上述等離子損傷缺陷會引起器件邊緣的損壞從而對器件性能造成很大影響。如電子器件的漏電引起的擊穿電壓變小，或是光傳輸器件的漏光引起的插入損耗增加等。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種干法刻蝕等離子損傷修復工藝。其能夠修復產品片處于等離子環境中產生的物理和化學上的損傷，以解決現有技術中產品片存在等離子損傷缺陷的問題。

一種干法刻蝕等離子損傷修復工藝，其包括以下步驟：

1)取經過等離子干法刻蝕后作業過的薄膜產品片；

2)用酸溶液浸泡5～10分鐘；

3)將產品片取出后用去離子水沖洗并甩干；

4)再將產品片放入通氫氣的高溫爐子中，加熱到1000～1110℃，退火6～12小時；

5)最后將產品片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。

特別地，所述步驟1)中的等離子干法刻蝕時，上電極功率：600W～1500W。

特別地，所述步驟2)中采用50：1的氫氟酸或緩沖氫氟酸溶液的任一種。

特別地，所述步驟4)中通入氫氣的流量為6～10SCCM。

與現有技術相比，本發明一種干法刻蝕等離子損傷修復工藝先用氫氟酸去除表面的物理損傷薄層，再用高溫下氫氣電離后產生的H-去將化學損傷的化學鍵恢復成穩定的狀態。從而增加產品的成品率，提高了產品的穩定性，降低生產成本。

具體實施方式

為便于理解本發明，本發明列舉實施例如下。本領域技術人員應該明了，所述實施例僅僅是幫助理解本發明，不應視為對本發明的具體限制。

實施例1

一種干法刻蝕等離子損傷修復工藝，其包括以下步驟：

1、取經過等離子干法刻蝕后(上電極功率：1000W)作業過的薄膜產品片；

2、用50：1的氫氟酸浸泡10分鐘；

3、將產品片取出后用去離子水沖洗并甩干；

4、再將產品片放入通氫氣(10SCCM)的高溫爐子中，加熱到1110℃退火8小時

5、再將產品片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。

實施例2

一種干法刻蝕等離子損傷修復工藝，其包括以下步驟：

1、取經過等離子干法刻蝕后(上電極功率：1500W)作業過的薄膜產品片；

2、用50：1的氫氟酸浸泡15分鐘；

3、將產品片取出后用去離子水沖洗并甩干；

4、再將產品片放入通氫氣(10SCCM)的高溫爐子中，加熱到1110℃退火12小時；

5、再將產品片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。

上面實例中不同的參數，是由干法刻蝕時上電極功率為決定。

申請人聲明，本發明通過上述實施例來說明本發明的詳細工藝設備和工藝流程，但本發明并不局限于上述詳細工藝設備和工藝流程，即不意味著本發明必須依賴上述詳細工藝設備和工藝流程才能實施。所屬技術領域的技術人員應該明了，對本發明的任何改進，對本發明產品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發明的保護范圍和公開范圍之內。