[發明專利]鰭式場效應晶體管的制造方法

在審

• 申請號: 201410275989.7
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104037088A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 鮑宇
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底，在所述半導體襯底上形成用于定義柵極的柵極硬掩膜以及圍繞在所述柵極硬掩膜側面的側墻硬掩膜；

以所述柵極硬掩膜和側墻硬掩膜為掩膜，刻蝕所述半導體襯底形成多個具有傾斜側面的第一鰭式結構，相鄰第一鰭式結構之間為隔離溝道；

在所述隔離溝道內填充隔離材料，形成淺溝道隔離，所述淺溝道隔離的側壁具有傾斜度，所述淺溝道隔離的上表面低于所述第一鰭式結構的上表面；

移除所述側墻硬掩膜，以所述柵極掩膜層為掩膜，刻蝕所述第一鰭式結構至所述淺溝道隔離的表面形成底面寬度小于第一鰭式結構上表面寬度的第二鰭式結構。

2.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極硬掩膜和側墻硬掩膜的材質為SiN，SiON，α-C，SiO2，BN，TiN中的至少一種。

3.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極硬掩膜的厚度大于10nm，所述側墻硬掩膜的寬度大于5nm。

4.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，在所述隔離溝道內填充隔離材料，形成淺溝道隔離的步驟包括：

在包含第一鰭式結構的半導體襯底表面沉積氧化層至填滿所述隔離溝道；

化學機械平坦化所述氧化層直至暴露出所述柵極硬掩膜的上表面；

回刻蝕一定深度的所述氧化層，形成上表面低于所述第一鰭式結構的上表面的所述淺溝道隔離。

5.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一鰭式結構與所述第二鰭式結構的側面斜率相等或者不相等。

6.如權利要求5所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二鰭式結構的側面為垂直于所述淺溝道隔離的上表面的豎直側面。

7.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述第一鰭式結構形成第二鰭式結構。

8.如權利要求4所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝或者濕法腐蝕工藝回刻蝕一定深度的所述氧化層。

9.如權利要求1至7中任一項所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，移除所述側墻硬掩膜之前或者之后，形成第二鰭式結構之前，對所述所述第一鰭式結構進行傾斜角度的離子注入。

10.如權利要求9所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述注入離子為氮、氬或碳。