[發明專利]掩膜板圖形的形成方法和光刻及刻蝕方法有效
| 申請號： | 201410275987.8 | 申請日： | 2014-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN104020638B | 公開（公告）日： | 2017-07-11 |
| 發明（設計）人： | 楊正凱;毛智彪 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36;G03F7/20;H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 掩膜板 圖形 形成 方法 光刻 刻蝕 | ||
1.一種掩膜板圖形的形成方法，適用于雙次曝光技術，其特征在于，包括：
提供一掩膜板圖形，所述掩膜板圖形包含多個間隔分布的線條；
形成填充部，所述填充部覆蓋相鄰線條之間的間隙并向相鄰線條的排列方向延伸,所述間隙是沿同一直線排列的兩個線條之間的間隙，所述間隙的寬度小于等于65nm；
將所述填充部與所述線條組合形成用以雙次曝光技術中一次曝光的第一圖形；以及
將所述填充部作為用以雙次曝光技術中另一次曝光的第二圖形；
在所述第一圖形和第二圖形中，其中一個圖形為透光圖形，另一個圖形為不透光圖形。
2.如權利要求1所述的掩膜板圖形的形成方法，其特征在于：所述第一圖形為不透光圖形，所述第二圖形為透光圖形。
3.如權利要求1所述的掩膜板圖形的形成方法，其特征在于：所述第一圖形為透光圖形，所述第二圖形為不透光圖形。
4.一種光刻及刻蝕方法，采用如權利要求1-3任意一項所述的掩膜板圖形的形成方法形成的掩膜板圖形，所述光刻及刻蝕方法包括以下步驟：
采用第一圖形對一基底進行雙次曝光技術中一次曝光，并對所述基底進行顯影及刻蝕；以及
采用第二圖形對所述基底進行雙次曝光技術中另一次曝光，并對所述基底進行顯影及刻蝕。
5.如權利要求4所述的光刻及刻蝕方法，其特征在于：采用第一圖形進行第一次曝光，采用第二圖形進行第二次曝光；或者，采用第一圖形進行第二次曝光，采用第二圖形進行第一次曝光。
6.一種光刻及刻蝕方法，采用如權利要求1-3任意一項所述的掩膜板圖形的形成方法形成的掩膜板圖形，所述光刻及刻蝕方法包括以下步驟：
采用第一圖形對一基底進行雙次曝光技術中一次曝光；
采用第二圖形對所述基底進行雙次曝光技術中另一次曝光；以及
對所述基底進行顯影及刻蝕。
7.如權利要求6所述的光刻及刻蝕方法，其特征在于：采用第一圖形進行第 一次曝光，采用第二圖形進行第二次曝光；或者，采用第一圖形進行第二次曝光，采用第二圖形進行第一次曝光。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
