[發明專利]發光器件和包括發光器件的照明設備

有效

• 申請號: 201410275911.5
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104241487B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 吳沼泳;黃盛珉
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 周燕,夏凱

本申請要求在2013年6月19日在韓國提交的韓國專利申請No.10-2013-0070104的權益，正如在此得到充分闡述的那樣，其全部內容通過引用被包含于此。

技術領域

實施例涉及一種發光器件和包括發光器件的照明設備。

背景技術

由于薄膜生長技術和器件材料的發展，使用III-V族或者II-VI族化合物半導體材料的諸如發光二極管(LED)和激光二極管的發光器件可以呈現諸如紅、綠、藍和紫外的各種顏色。使用熒光材料或通過顏色混合高效地產生白光也是可能的。此外，與諸如熒光燈和白熾燈的傳統的光源相比較，發光器件具有諸如低功耗、半永久壽命、快速響應時間、安全性和環境友好性的優點。

因此，這些發光器件越來越多地被應用于光學通信單元的傳輸模塊、替代組成液晶顯示器(LCD)器件的背光的冷陰極熒光燈(CCFL)的發光二極管背光、和使用替代熒光燈或者白熾燈的白光發光二極管的照明設備、用于車輛和交通燈的頭燈。

圖1是傳統的發光器件的截面圖。圖2是圖示圖1中的發光器件的電流擴展的頂部圖像視圖。圖1圖示沿著圖2的線A-A截取的截面圖。

參考圖1，通過附圖標記“1”指定的傳統的發光器件，包括襯底10，和被布置在襯底10上的發光結構20。發光結構20包括第一導電類型半導體層22、有源層24、以及第二導電類型半導體層26。發光結構20具有通過蝕刻去除第二導電類型半導體層26、有源層24、以及第一導電類型半導體層22的部分的臺面蝕刻區域M。

第一電極30被布置在通過蝕刻區域M暴露的第一導電類型半導體層22的一部分上。第二電極40被布置在第二導電類型半導體層26的未被蝕刻的部分上。透明電極層50被布置在第二導電類型半導體層26和第二電極40之間。

然而，傳統的發光器件1可以具有下述問題。

參考圖2，來自第二導電類型半導體層26的電流流動同時繞過(bypass)臺面蝕刻區域，因為在臺面蝕刻區域M中不存在透明電極層50。結果，電流擴展不是有效的，并且正因如此，可能存在其中電流被集中在第二電極40周圍的現象。

發明內容

實施例提供一種呈現被改進的電流擴展的發光器件和包括發光器件的照明設備。

在實施例中，發光器件包括：發光結構，該發光結構包括第一導電類型半導體層，第二導電類型半導體層，以及有源層，該有源層被布置在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間；第一電極，該第一電極被布置在第一導電類型半導體層上；以及第二電極，該第二電極被布置在第二導電類型半導體層上，其中發光結構包括部分地蝕刻第二導電類型半導體層、有源層、以及第一導電類型半導體層的臺面蝕刻區域，從而暴露第一導電類型半導體層的一部分，并且第一電極被布置在臺面蝕刻區域中的第一導電類型半導體層的暴露的部分上，其中第一電極層被布置在第二導電類型半導體層和第二電極之間，并且第二電極層被布置于在臺面蝕刻區域的相對側處被相互隔開的第一電極層的部分之間。

第一電極層和第二電極層中的每一個可以是透明電極層。

第二電極層可以在第二電極層的相對的末端處重疊第一電極層。

第二電極層可以重疊臺面蝕刻區域的一部分。

第一電極可以被布置在第二電極層之下。

絕緣層可以被布置在臺面蝕刻區域和第二電極層之間。

絕緣層可以被布置在通過臺面蝕刻區域暴露的發光結構的一部分的內部。

在第二電極層和第一電極之間可以存在空(empty)的空間。

絕緣層可以填充在第二電極層和第一電極之間的空間。

第二電極層可以接觸第一電極層，并且可以在第二電極層接觸第一電極層的位置處具有比第一電極層高的水平面(level)。

第二電極層可以比第一電極層厚。

絕緣層可以圍繞第一電極。