[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410274667.0 | 申請日: | 2014-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN104049430B | 公開(公告)日: | 2017-04-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王海宏;馬群剛 | 申請(專利權(quán))人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種陣列基板、顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
如圖1所示,薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)是由陣列基板11、彩色濾光片基板13以及充滿于這兩塊基板之間的液晶13共同形成,背光源14從陣列基板11一側(cè)入射,在陣列基板11和彩色濾光片基板上分別貼有陣列側(cè)偏光板115和彩色濾光片側(cè)偏光板124。陣列基板11上一般包括柵極金屬層111、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層112、源漏金屬層113、源漏絕緣層、有機絕緣層、像素電極層114等5-6次成膜工藝;彩色濾光片側(cè)包括黑色矩陣層121、色阻層122(綠色色阻層、紅色色阻層、藍色色阻層)、共通電極層123、支撐柱層(以下稱為PS)一般6次成膜工藝。
多一次工藝工程,就會增加面板不合格發(fā)生的概率。另外,在成膜完成之后,彩色濾光片基板和陣列基板的貼合精度也會影響產(chǎn)品的合格率,貼合不良會導(dǎo)致產(chǎn)品漏光。
發(fā)明內(nèi)容
通過有效的合并生產(chǎn)工序和材料共用,可以減少不良降低成本。將彩膜基板和陣列基板上部分膜層共用,可以減少成膜次數(shù),節(jié)省材料,降低成本。
本發(fā)明一實施例提供一種陣列基板,其包括:一基板,其上依次配置有第一金屬層、金屬絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、保護絕緣層、透明有機絕緣膜、像素電極層、黑色有機絕緣層;其中,第一金屬層,其包括:多條掃描線,每一所述掃描線設(shè)置在每一該像素區(qū)域的水平中線上,且與多條數(shù)據(jù)線彼此交叉設(shè)置;多個存儲電極,配置于像素電極的的下方,且與第一公共電極與第二公共電極的投影區(qū)域重疊,且該存儲電極通過第二接觸孔與該像素電極電性連接;第二金屬層,其包括:多條第一公共電極線,具有均勻分布縫隙的非連續(xù)分布線;多條第二公共電極線,與該多條第一公共電極線交叉連接圍成像素區(qū)域陣列;多條數(shù)據(jù)線,每一所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在每一該像素區(qū)域的垂直中線上,且穿過對應(yīng)該第一公共電極線的該縫隙;主動元件,設(shè)置于每一該數(shù)據(jù)線與每一該掃描線交叉區(qū)域;多個像素電極,每一該像素電極通過第一接觸孔與該主動元件電性連接;黑色有機絕緣層,形成第一高度圖案和第二高度圖案,其中,第一高度圖案為支撐柱,第二高度圖案為黑色矩陣。
優(yōu)選地,該第一高度圖案和該第二高度圖案通過半色調(diào)掩膜版或者灰色調(diào)掩膜版曝光形成。
優(yōu)選地,該黑色矩陣覆蓋該掃描線、該存儲電極、該數(shù)據(jù)線、該第一、二公共電極線、該主動元件;該支撐柱均勻布置在該掃描線與數(shù)據(jù)線交叉區(qū)域和/或該第一、二公用電極線交叉區(qū)域。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,其包括上述實施例所述的陣列基板,還包括一對置基板,該基板為覆蓋有ITO的玻璃基板;該陣列基板與該對置基板之間夾設(shè)有顯示介質(zhì)層。
本發(fā)明還提供了一種如包括上述實施例所述的所述陣列基板的制造方法,其包括以下步驟:
a.在該基板上形成第一金屬層,其包括掃描線和像素存儲電極;
b.形成半導(dǎo)體圖形,半導(dǎo)體材料為非晶硅,多晶硅或者金屬氧化物;
c.形成源、漏電極,數(shù)據(jù)線,第一、二公共電極線;
d.形成保護絕緣層、透明有機絕緣膜;
e.形成接觸孔;
f.形成像素電極;
g.形成黑色有機絕緣層,通過半色調(diào)掩膜版或者灰色調(diào)掩膜版,形成第一高度圖案和第二高度圖案,其中,第一高度圖案為支撐柱,第二高度圖案為黑色矩陣。
優(yōu)選地,該保護絕緣層為SiO2、SiNx或Al2O3,且該保護絕緣層的厚度為1000A—4000A,該有機絕緣層的厚度在1um-3um。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,其優(yōu)點在于:通過設(shè)置黑色有機絕緣材料,同時形成黑色矩陣和支撐柱,可以有效的減少液晶面板的工藝流程,提高產(chǎn)品的合格率,另外由于黑色矩陣位于陣列基板上,彩色濾光片基板和陣列基板沒有對位精度要求,因此,產(chǎn)品的合格率也可以得到進一步的提高。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置的剖面示意圖
圖2為本發(fā)明顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明圖2中陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4(a)為本發(fā)明圖3中像素結(jié)構(gòu)的第一金屬層圖案的平面圖;
圖4(b)為本發(fā)明圖3中像素結(jié)構(gòu)的第一金屬層圖案AA′方向的剖面圖;
圖5(a)為本發(fā)明圖3中像素結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層圖案的平面圖;
圖5(b)為本發(fā)明圖3中像素結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層圖案AA′方向的剖面圖;
圖6(a)為本發(fā)明圖3中像素結(jié)構(gòu)的第二金屬層圖案的平面圖;
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





