[發明專利]薄膜元件用基板、薄膜元件、薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201410274309.X
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN104157694A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 福田俊治;坂寄勝哉;在原慶太;市村公二;天下井惠維
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L51/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 葛凡

1.一種薄膜元件用基板，其具有金屬基材、以及形成于所述金屬基材上并含有聚酰亞胺的絕緣層，其特征在于，

所述絕緣層的表面粗糙度Ra為30nm以下。

2.如權利要求1所述的薄膜元件用基板，其中，所述金屬基材表面的、對所述絕緣層中所使用聚酰亞胺樹脂組合物所含溶劑的接觸角為30°以下。

3.如權利要求1或2所述的薄膜元件用基板，其中，所述金屬基材以鐵作為主成分。

4.如權利要求1～3中任一項所述的薄膜元件用基板，其中，在所述金屬基材表面，通過X射線光電子能譜分析(XPS)所檢測出的碳(C)相對于總元素的元素量比為0.25以下。

5.如權利要求1～4中任一項所述的薄膜元件用基板，其中，所述絕緣層的吸濕膨脹系數為0ppm/％RH～15ppm/％RH的范圍內。

6.如權利要求1～5中任一項所述的薄膜元件用基板，其中，所述絕緣層的線熱膨脹系數為0ppm/℃～25ppm/℃的范圍內。

7.如權利要求1～6中任一項所述的薄膜元件用基板，其中，所述絕緣層的線熱膨脹系數與所述金屬基材的線熱膨脹系數之差為15ppm/℃以下。

8.一種薄膜元件，其特征在于，具有權利要求1～7中任一項所述的薄膜元件用基板、以及形成于所述薄膜元件用基板上的薄膜元件部。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，具有權利要求1～7中任一項所述的薄膜元件用基板、以及形成于所述薄膜元件用基板上的薄膜晶體管。

10.一種薄膜元件用基板的制造方法，其特征在于，具有：

對金屬基材實施藥液處理的金屬基材表面處理步驟；以及

在所述金屬基材上涂布聚酰亞胺樹脂組合物以形成絕緣層的絕緣層形成步驟，

所述絕緣層的表面粗糙度Ra為30nm以下。

11.如權利要求10所述的薄膜元件用基板的制造方法，其中，在所述金屬基材表面處理步驟，以使所述金屬基材表面對所述聚酰亞胺樹脂組合物所含的溶劑的接觸角為30°以下的方式，實施藥液處理。

12.如權利要求10或11所述的薄膜元件用基板的制造方法，其中，所述金屬基材以鐵為主成分。

13.如權利要求10～12中任一項所述的薄膜元件用基板的制造方法，其中，所述聚酰亞胺樹脂組合物含有聚酰亞胺前體。

14.如權利要求10～13中任一項所述的薄膜元件用基板的制造方法，其中，在所述金屬基材表面處理步驟后的所述金屬基材表面，通過X射線光電子能譜分析(XPS)所檢測出的碳(C)相對于總元素的元素量比為0.25以下。

15.一種薄膜元件用基板的制造方法，其特征在于，具有：

以使通過下述方法算出的相對溶解氧飽和率為95％以下的方式，對聚酰亞胺樹脂組合物進行脫氣的脫氣步驟；以及

在金屬基材上涂布所述聚酰亞胺樹脂組合物以形成絕緣層的絕緣層形成步驟；

所述絕緣層的表面粗糙度Ra為30nm以下；

<相對溶解氧飽和率的計算方法>

首先，使用對將包含于聚酰亞胺樹脂組合物的溶劑進行空氣吹泡30分鐘以上的溶解氧飽和溶劑，以完全未溶解氧的所述溶劑的溶解氧量的測定值為0、所述溶解氧飽和溶劑的溶解氧量的測定值為100的方式，進行溶解氧測量計的校準；其次，通過經校準的所述溶解氧測量計，測定使聚酰亞胺樹脂組合物于大氣下靜置1小時以上的基準聚酰亞胺樹脂組合物的溶解氧量的相對值、以及經將聚酰亞胺樹脂組合物脫氣的脫氣聚酰亞胺樹脂組合物的溶解氧量的相對值；然后，將所述基準聚酰亞胺樹脂組合物的溶解氧量的相對值設為100％，以此時的所述脫氣聚酰亞胺樹脂組合物的溶解氧量的相對值作為相對溶解氧飽和率。

16.如權利要求15所述的薄膜元件用基板的制造方法，其中，在即將進行所述絕緣層形成步驟之前，進行所述脫氣步驟。

17.如權利要求10～16中任一項所述的薄膜元件用基板的制造方法，其中，所述絕緣層的吸濕膨脹系數為0ppm/％RH～15ppm/％RH的范圍內。