[發(fā)明專利]形成芯片的鈍化膜的方法、芯片的鈍化膜的結(jié)構(gòu)及芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410274205.9 | 申請日： | 2014-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN104064654B | 公開（公告）日： | 2017-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐華偉;蔣春旭;黃林軼;王深;郝明明 | 申請（專利權(quán)）人： | 工業(yè)和信息化部電子第五研究所 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 王程 |
| 地址： | 510610 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 形成 芯片 鈍化 方法 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，包括：
對芯片的芯片側(cè)壁進行沉積Al2O3薄膜處理；
對所述芯片的芯片表面和芯片側(cè)壁進行沉積SiNx薄膜處理；
根據(jù)Al2O3薄膜和沉積SiNx薄膜，獲得該芯片的鈍化膜；
其中，所述芯片側(cè)壁為將晶圓片進行半切獲得芯片時切割所在面；
對所述芯片側(cè)壁進行沉積Al2O3薄膜處理的方法，包括步驟：
對所述芯片進行沉積Al2O3薄膜處理，其中，Al2O3薄膜覆蓋中心電極、芯片表面和芯片側(cè)壁；
在所述Al2O3薄膜表面涂覆光刻膠，其中，所述光刻膠覆蓋中心電極上的Al2O3薄膜、芯片表面上的Al2O3薄膜和芯片側(cè)壁上的Al2O3薄膜；
采用套刻方式分別將中心電極和芯片表面的光刻膠顯影去除，并將芯片進行烘干；
將烘干后的芯片放入Al2O3蝕刻液中，去除中心電極和芯片表面的Al2O3薄膜；
將去除中心電極和芯片表面的Al2O3薄膜的芯片進行清洗，并將芯片側(cè)壁上的光刻膠去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，
先對所述芯片側(cè)壁進行沉積Al2O3薄膜處理；
再對所述芯片表面和芯片側(cè)壁Al2O3薄膜上進行沉積SiNx薄膜處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，對所述芯片表面和芯片側(cè)壁Al2O3薄膜上進行沉積SiNx薄膜處理的方法，包括步驟：
對去除光刻膠的芯片進行沉積SiNx薄膜處理，其中，所述SiNx薄膜覆蓋中心電極、芯片表面和芯片側(cè)壁上的Al2O3薄膜；
在SiNx薄膜表面涂覆光刻膠，其中，該光刻膠覆蓋中心電極上的SiNx薄膜、芯片表面上的SiNx薄膜和芯片側(cè)壁上的SiNx薄膜；
采用套刻方式將中心電極處的光刻膠顯影去除，并將芯片進行烘干；
將烘干后的芯片放入SiNx蝕刻液中，去除中心電極上的SiNx薄膜；
將芯片表面和芯片側(cè)壁上的光刻膠去除。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，所述Al2O3蝕刻液由濃鹽酸：水＝1:2的溶液組成，
且
SiNx蝕刻液為磷酸溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，所述形成的SiNx薄膜的折射率范圍為1.7～2.4。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，所述形成的Al2O3薄膜的厚度大于0.5μm，
且
所述形成的SiNx薄膜的光學(xué)厚度為四分之一芯片發(fā)射波長的奇數(shù)倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，所述芯片為LED芯片，LED芯片的結(jié)構(gòu)為倒裝芯片結(jié)構(gòu)、正裝芯片結(jié)構(gòu)或垂直結(jié)構(gòu)。
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