[發明專利]形成芯片的鈍化膜的方法、芯片的鈍化膜的結構及芯片

有效

• 申請號: 201410274205.9
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104064654B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: 徐華偉;蔣春旭;黃林軼;王深;郝明明
• 申請（專利權）人: 工業和信息化部電子第五研究所
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 王程

1.一種形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，包括：

對芯片的芯片側壁進行沉積Al₂O₃薄膜處理；

對所述芯片的芯片表面和芯片側壁進行沉積SiN_x薄膜處理；

根據Al₂O₃薄膜和沉積SiN_x薄膜，獲得該芯片的鈍化膜；

其中，所述芯片側壁為將晶圓片進行半切獲得芯片時切割所在面；

對所述芯片側壁進行沉積Al₂O₃薄膜處理的方法，包括步驟：

對所述芯片進行沉積Al₂O₃薄膜處理，其中，Al₂O₃薄膜覆蓋中心電極、芯片表面和芯片側壁；

在所述Al₂O₃薄膜表面涂覆光刻膠，其中，所述光刻膠覆蓋中心電極上的Al₂O₃薄膜、芯片表面上的Al₂O₃薄膜和芯片側壁上的Al₂O₃薄膜；

采用套刻方式分別將中心電極和芯片表面的光刻膠顯影去除，并將芯片進行烘干；

將烘干后的芯片放入Al₂O₃蝕刻液中，去除中心電極和芯片表面的Al₂O₃薄膜；

將去除中心電極和芯片表面的Al₂O₃薄膜的芯片進行清洗，并將芯片側壁上的光刻膠去除。

2.根據權利要求1所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，

先對所述芯片側壁進行沉積Al₂O₃薄膜處理；

再對所述芯片表面和芯片側壁Al₂O₃薄膜上進行沉積SiN_x薄膜處理。

3.根據權利要求2所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，對所述芯片表面和芯片側壁Al₂O₃薄膜上進行沉積SiN_x薄膜處理的方法，包括步驟：

對去除光刻膠的芯片進行沉積SiN_x薄膜處理，其中，所述SiN_x薄膜覆蓋中心電極、芯片表面和芯片側壁上的Al₂O₃薄膜；

在SiN_x薄膜表面涂覆光刻膠，其中，該光刻膠覆蓋中心電極上的SiN_x薄膜、芯片表面上的SiN_x薄膜和芯片側壁上的SiN_x薄膜；

采用套刻方式將中心電極處的光刻膠顯影去除，并將芯片進行烘干；

將烘干后的芯片放入SiN_x蝕刻液中，去除中心電極上的SiN_x薄膜；

將芯片表面和芯片側壁上的光刻膠去除。

4.根據權利要求3所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，所述Al₂O₃蝕刻液由濃鹽酸：水＝1:2的溶液組成，

且

SiN_x蝕刻液為磷酸溶液。

5.根據權利要求3所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，所述形成的SiN_x薄膜的折射率范圍為1.7～2.4。

6.根據權利要求1至5任意一項所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，所述形成的Al₂O₃薄膜的厚度大于0.5μm，

且

所述形成的SiN_x薄膜的光學厚度為四分之一芯片發射波長的奇數倍。

7.根據權利要求1至5任意一項所述的形成芯片的鈍化膜的方法，其特征在于，所述芯片為LED芯片，LED芯片的結構為倒裝芯片結構、正裝芯片結構或垂直結構。