[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410274116.4
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104112778B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發(fā)明（設計）人: 李田生;謝振宇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 李迪

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.形成有源層和源漏電極層；

S2.在所述源漏電極層上涂覆正性光刻膠；利用灰階掩模板或半階掩模板對涂覆有光刻膠層的基板曝光、顯影，形成包括光刻膠保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)的光刻膠圖案；

S3.利用光刻膠圖案作為掩模進行刻蝕，刻蝕掉光刻膠去除區(qū)內的源漏電極層；

S4.采用干法刻蝕方法對有源層進行兩步刻蝕：第一步刻蝕，使被光刻膠覆蓋的源漏電極層正下方的有源層與所述源漏電極層輪廓一致；第二步刻蝕，對光刻膠去除區(qū)的有源層進行刻蝕，保證有源層縱向刻蝕輪廓，形成有源層殘留；

S5.光刻膠層灰化后，使光刻膠層與所述源漏電極層輪廓一致；再利用光刻膠圖案作為掩模，對源漏電極層進行刻蝕形成包括源極、漏極的源漏電極層圖案，且刻蝕掉源極和漏極之間區(qū)域的摻雜半導體層，同時刻蝕掉所述有源層殘留。

2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述步驟S4中，第一步刻蝕采用增加橫向刻蝕與縱向刻蝕速率比的刻蝕方法；第二步刻蝕采用減小橫向刻蝕與縱向刻蝕速率比的刻蝕方法。

3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一步刻蝕中，增加橫向刻蝕與縱向刻蝕速率比的刻蝕方法采用：增加刻蝕反應氣體流量比率方法、降低刻蝕功率的方法或者增加刻蝕氣體壓力的方法。

4.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一步刻蝕中，增加橫向刻蝕與縱向刻蝕速率比的刻蝕方法采用增加活性氣體成分的方法。

5.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二步刻蝕中，減小橫向刻蝕與縱向刻蝕速率比的刻蝕方法采用：減小刻蝕反應氣體流量比率方法、提高刻蝕功率的方法或者減小刻蝕氣體壓力的方法。

6.根據(jù)權利要求1～5任一項所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，

所述步驟S3中，采用濕法刻蝕方法對源漏電極層進行刻蝕。

7.根據(jù)權利要求1～5任一項所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述步驟S4中，第二步刻蝕過程中，采用過刻的方法對有源層刻蝕。

8.根據(jù)權利要求1～5任一項所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述步驟S4中，第一步刻蝕中，刻蝕掉的有源層的厚度為有源層總厚度的三分之一。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用如權利要求1-8任一項所述的薄膜晶體管的制造方法制備而成。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的薄膜晶體管。