[發明專利]用于從晶片分離半導體器件的方法和設備

有效

• 申請號: 201410274083.3
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104241092B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: M·瓦佩爾;K·格里希;K·P·奎克
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于從晶片分離半導體器件的方法，所述方法包括：

在載體上設置半導體器件，以及

通過施加熱和氣體噴射從所述載體移除多個所述半導體器件或者所有半導體器件，

其中所述載體是熱釋放箔片。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在所述載體和所述半導體器件之間提供可調的粘附力。

3.根據權利要求1所述的方法，其中使用至少一個熱施加步驟從所述載體移除所述半導體器件。

4.根據權利要求3所述的方法，其中從載體移除多個所述半導體器件或者所有半導體器件包括：由所述氣體噴射施加氣體的至少一個脈沖。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在使用所述熱施加步驟之后施加所述脈沖。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在從所述載體釋放之后，所述半導體器件轉移至用于分選和對準所述半導體器件的設備。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體器件是塑料封裝。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體器件附接至所述載體，使得所述半導體器件的有源側朝向所述載體。

9.根據權利要求1所述的方法，其中在從所述載體移除所述半導體器件之前將所述半導體器件單片化。

10.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在粘附箔片上設置半導體器件，

在所述粘附箔片和所述半導體器件之間提供可調的粘附力，以及

通過從沒有附接半導體器件的一側加熱所述粘附箔片，來調整在所述粘附箔片與所述半導體器件之間的所述粘附力，以及施加至少一個機械或聲學脈沖至所述粘附箔片，這引起了至少一些半導體器件從所述粘附箔片脫離，

其中所述粘附箔片是熱釋放箔片，并且使用熱板執行加熱。

11.根據權利要求10所述的方法，其中使用至少一個空氣流形成所述至少一個脈沖，所述至少一個空氣流施加至所述粘附箔片的其中沒有附接半導體器件的一側。

12.一種用于從粘附箔片分離半導體器件的設備，包括：

支撐單元，用于支撐粘附箔片，所述粘附箔片具有與其粘附的半導體器件，

加熱系統，提供熱量至所述粘附箔片，所述粘附箔片具有與其粘附的半導體器件，以及

脈沖發生器，以施加脈沖至所述粘附箔片，其中所述脈沖發生器包括被設計成施加氣體噴射至所述粘附箔片的至少一個氣體噴嘴，

其中所述粘附箔片是熱釋放箔片。

13.根據權利要求12所述的設備，進一步包括：

機械分離單元，配置成在從所述粘附箔片分離所述半導體器件之后從所述半導體器件移除預定的半導體器件。

14.根據權利要求12所述的設備，進一步包括：

容器，在機械地分離了預定的半導體器件之后接收所述半導體器件。

15.根據權利要求12所述的設備，其中所述加熱系統和所述脈沖發生器設置在粘連的模塊內。

16.根據權利要求13所述的設備，進一步包括：振動單元，用于振動所述機械分離單元。