[發明專利]CMOS感光元件及制備方法在審
| 申請號： | 201410273932.3 | 申請日： | 2014-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN105206630A | 公開（公告）日： | 2015-12-30 |
| 發明（設計）人： | 李程;吳敏;楊渝書;秦偉;高慧慧 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 感光 元件 制備 方法 | ||
1.一種CMOS感光元件，其特征在于，所述CMOS感光元件包括一襯底，所述襯底中設置有PD層，位于該襯底頂部設置有一ILD層，在所述ILD層中設置有一反射鏡，以提高所述CMOS感光元件對特定光波的感光效率。
2.如權利要求1所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述反射鏡為布拉格反射鏡。
3.如權利要求2所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述反射鏡自下而上包括依次若干層間隔設置的第一反射層和第二反射層。
4.如權利要求3所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述第一反射層為SiO2，所述第二反射層為SiN。
5.如權利要求1所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述特定光波為紅光光波。
6.如權利要求1所述的CMOS感光元件，其特征在于，所述CMOS感光元件還設置有微透鏡(U-lens)。
7.一種CMOS感光元件的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
提供一襯底，并在所述襯底中制備PD層；
在所述襯底之上沉積一層ILD層；
在所述ILD層的上表面制備一反射鏡；
在所述反射鏡的上表面沉積一層氧化物后進行接觸孔制備工藝以及CMOS感光元件的后段制程。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述反射鏡為布拉格反射鏡。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，制備所述反射鏡的步驟如下：
沉積第一反射層覆蓋在所述ILD層的上表面，繼續沉積第二反射層覆蓋在所述第一反射層的上表面，之后進行反復多次沉積所述第一反射層和所述第二反射層，形成所述反射鏡。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一反射層為SiO2，所述第二反射層為SiN。
11.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述特定光波為紅光光波。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
