[發明專利]改善低介電常數材質Kink缺陷的方法在審
| 申請號： | 201410273595.8 | 申請日： | 2014-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN105225941A | 公開（公告）日： | 2016-01-06 |
| 發明（設計）人： | 吳敏;傅海林;王一 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 介電常數 材質 kink 缺陷 方法 | ||
1.一種改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一半導體襯底；
于所述半導體襯底的上表面按照從下至上的順序依次沉積阻擋層、第一介電層、第二介電層、金屬掩膜層以及頂部氧化層；
依次刻蝕所述頂部氧化層、金屬掩膜層至第二介電層的上表面形成凹槽；
繼續以剩余的頂部氧化層和金屬掩膜層為掩膜，刻蝕所述第二介電層至第一介電層中形成溝槽；
其中，第一介電層為低K介質層，第二介電層為抗反射膜。
2.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，所述第二介電層的材質為SiON。
3.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，所述第二介電層的厚度為400-800埃。
4.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積法沉積所述阻擋層、第一介電層、第二介電層和所述頂部氧化層。
5.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法沉積所述金屬掩膜層。
6.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，所述阻擋層的材質為摻氮的碳化硅。
7.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，所述第一介電層的材質為SiOCH。
8.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，所述金屬掩膜層的材質為TiN。
9.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，所述頂部氧化層的材質為SiO2。
10.如權利要求1所述的改善低介電常數材質Kink缺陷的方法，其特征在于，所述方法還包括：繼續于所述溝槽中填充金屬的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
