[發(fā)明專利]改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410273595.8
• 申請(qǐng)日: 2014-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN105225941A
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳敏;傅海林;王一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底；

于所述半導(dǎo)體襯底的上表面按照從下至上的順序依次沉積阻擋層、第一介電層、第二介電層、金屬掩膜層以及頂部氧化層；

依次刻蝕所述頂部氧化層、金屬掩膜層至第二介電層的上表面形成凹槽；

繼續(xù)以剩余的頂部氧化層和金屬掩膜層為掩膜，刻蝕所述第二介電層至第一介電層中形成溝槽；

其中，第一介電層為低K介質(zhì)層，第二介電層為抗反射膜。

2.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，所述第二介電層的材質(zhì)為SiON。

3.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，所述第二介電層的厚度為400-800埃。

4.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述阻擋層、第一介電層、第二介電層和所述頂部氧化層。

5.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法沉積所述金屬掩膜層。

6.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，所述阻擋層的材質(zhì)為摻氮的碳化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，所述第一介電層的材質(zhì)為SiOCH。

8.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，所述金屬掩膜層的材質(zhì)為TiN。

9.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，所述頂部氧化層的材質(zhì)為SiO₂。

10.如權(quán)利要求1所述的改善低介電常數(shù)材質(zhì)Kink缺陷的方法，其特征在于，所述方法還包括：繼續(xù)于所述溝槽中填充金屬的步驟。