[發明專利]一種近紅外傳感芯片及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201410273250.2
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104034432B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 王亞培;賈晗鈺;賀泳霖
• 申請（專利權）人: 中國人民大學
• 主分類號: G01J5/28
• 分類號: G01J5/28;B82Y15/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司11245
• 代理人: 關暢,王春霞

1.一種基于離子液體-聚吡咯納米顆粒的近紅外光傳感芯片，其特征在于：它包括聚二甲基硅氧烷基片、2個蓋玻片和2個電極；?

2個所述蓋玻片分別貼附于所述聚二甲基硅氧烷基片的上表面和下表面，且為密封配合；?

所述聚二甲基硅氧烷基片上設有一通孔；所述通孔內填充有聚吡咯納米顆粒和離子液體的混合物；?

2個所述電極均穿過所述聚二甲基硅氧烷基片與所述混合物接觸。?

2.根據權利要求1所述的近紅外光傳感芯片，其特征在于：所述混合物中，所述聚吡咯納米顆粒的質量百分含量為0.1％～5.0％；?

所述聚吡咯納米顆粒的粒徑為40nm～60nm。?

3.根據權利要求1或2所述的近紅外光傳感芯片，其特征在于：所述離子液體為1-辛基-3-甲基咪唑醋酸鹽、1-丁基-3-甲基咪唑醋酸鹽、1-乙基-3-甲基咪唑醋酸鹽中任一種。?

4.權利要求1-3中任一項所述近紅外光傳感芯片的制備方法，包括如下步驟：?

(1)在所述聚二甲基硅氧烷基片上打孔得到所述通孔；?

(2)將2個所述蓋玻片分別與所述聚二甲基硅氧烷基片的上表面和下表面進行加熱鍵合；?

(3)向所述通孔內注入所述聚吡咯納米顆粒與所述離子液體的混合物；?

(4)將2個所述電極接入至所述通孔內，且與所述混合物接觸，即得到所述近紅外光傳感芯片。?

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中，所述加熱鍵合的溫度為65℃～80℃，時間為8h～12h。?

6.根據權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中，在所述加熱鍵合之前，所述方法還包括對所述蓋玻片的表面和所述聚二甲基硅氧烷基片的表面進行Plasma處理的步驟；?

所述Plasma處理的時間為2～3min。?

7.根據權利要求4-6中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，在注入所述混合物之前，向所述聚二甲基硅氧烷基片插入兩個針頭，且所述針頭與所述通孔相連通；?

通過注射器和一個所述針頭向所述通孔內注入所述混合物；?

所述針頭的直徑與所述電極的直徑比為0.75～0.8：1。?

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：步驟(4)中，所述接入電極的步驟為：?

拔出所述針頭，將所述電極插入至所述針頭所在的縫隙內。?

9.權利要求1-3任一項所述近紅外光傳感芯片在制備近紅外傳感器中的應用。?

10.權利要求1-3任一項所述近紅外光傳感芯片在檢測近紅外光強度中的應用。?