[發明專利]相變材料可變電容器

有效

• 申請號: 201410272994.2
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104253020B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: M·C·拉莫雷
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/64;H01G7/04;H01G7/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 牛南輝,于靜

1.一種制造可變電容器的方法，包括：

形成電容器導體；

鄰近所述電容器導體形成相變材料；

在所述電容器導體上形成第一接觸；以及

在所述相變材料上形成第二接觸和第三接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述相變材料和所述電容器導體之間形成電介質。

3.根據權利要求2所述的方法，進一步包括：

形成下電容器導體；

在所述相變材料和所述下電容器導體之間形成下電介質。

4.根據權利要求3所述的方法，進一步包括在所述下電容器導體上形成第四接觸。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述相變材料由在非晶相和晶相之間選擇性可變的材料構成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述相變材料由在具有高電阻率的第一相與具有低電阻率的第二相之間選擇性可變的材料組成。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述相變材料包括硫屬化物材料。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在襯底之上的層間介電層中形成所述電容器導體和所述相變材料。

9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括連接控制器件到在所述相變材料上的所述第二接觸和所述第三接觸。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述控制器件被配置為選擇性施加電流通過所述相變材料經過預定的時間量。

11.根據權利要求10所述的方法，其中選擇所述電流的幅值和所述預定的時間量以設置所述相變材料到晶相或復位所述相變材料到非晶相。

12.一種改變電容器的電容的方法，所述電容器包括電容器導體、在第一相和第二相中的一個的之間選擇性改變的相變材料、在所述電容器導體上形成第一接觸、以及在所述相變材料上的第二接觸和第三接觸，包括：

選擇性設置包括在所述電容器中的所述相變材料到晶相和非晶相中的一個。

13.根據權利要求12所述的方法，其中設置所述相變材料到所述晶相和所述非晶相中的一個包括加熱所述相變材料到預定溫度經過預定的時間量。

14.根據權利要求13所述的方法，其中加熱包括施加電流到所述相變材料。

15.一種可變電容器，包括：

電容器導體；

在第一相和第二相中的一個的之間選擇性改變的相變材料；

在所述電容器導體上的第一接觸；以及

在所述相變材料上的第二接觸和第三接觸

其中所述可變電容器具有當所述相變材料處于所述第一相時的第一電容和當所述相變材料處于所述第二相時的不同于所述第一電容的第二電容。

16.根據權利要求15所述的可變電容器，進一步包括在所述電容器導體和所述相變材料之間的電容器電介質。

17.根據權利要求16所述的可變電容器，進一步包括：

其它電容器導體；以及

在所述其它電容器導體和所述相變材料之間的其它電容器電介質。

18.根據權利要求15所述的可變電容器，進一步包括配置為選擇性改變所述相變材料到所述第一相和所述第二相中的一個的控制器件。

19.根據權利要求15所述的可變電容器，其中：

在襯底之上的層間介電層中形成所述電容器導體和所述相變材料；

所述相變材料包括硫屬化物材料；

所述第一相為高電阻率非晶相；以及

所述第二相為低電阻率晶相。