[發明專利]壓力傳感器的制備方法

在審

• 申請號: 201410272907.3
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN105439077A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 楊天倫;毛劍宏
• 申請（專利權）人: 上海麗恒光微電子科技有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G01L1/14;G01L9/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種壓力傳感器的制備方法，包括：

提供半導體基底，所述半導體基底中形成有底部電極，所述半導體基底的表面形成有覆蓋所述底部電極的犧牲層；

在所述半導體基底上形成頂部電極，所述頂部電極與所述底部電極通過所述犧牲層隔開，所述頂部電極具有壓力傳感區；

在所述頂部電極上形成刻蝕停止層，所述刻蝕停止層覆蓋所述壓力傳感區；

對所述頂部電極進行選擇性刻蝕形成頂部電極開口，所述頂部電極開口暴露出所述犧牲層；

通過所述頂部電極開口去除所述犧牲層，在所述底部電極和頂部電極之間形成腔體；

在所述半導體基底、刻蝕停止層和頂部電極上形成介質層；以及

刻蝕去除覆蓋所述壓力傳感區的所述介質層，并去除所述犧牲層，以暴露出所述壓力傳感區。

2.如權利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述犧牲層和刻蝕停止層的材料均為非晶碳，去除所述犧牲層和刻蝕停止層的方法為：

通入氧等離子體，在溫度范圍為150℃～450℃的條件下灰化所述犧牲層和刻蝕停止層。

3.如權利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，去除所述刻蝕停止層的方法為各向同性的刻蝕方法。

4.如權利要求3所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，去除所述刻蝕停止層的方法為灰化的方法，所述刻蝕停止層的材料為能夠利用灰化去除的材質。

5.如權利要求4所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材料為光刻膠或非晶碳。

6.如權利要求1-5中任意一項所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述壓力傳感器的制備方法還包括：

在所述刻蝕停止層和介質層之間形成一保護層；

在對所述介質層進行刻蝕的步驟中，刻蝕所述保護層，以暴露出所述刻蝕停止層。

7.如權利要求6所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述保護層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。

8.如權利要求6所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述保護層的材料和所述介質層的材料相同。

9.如權利要求8所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述介質層的材料和所述保護層的材料均為氮化硅。

10.如權利要求6所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述保護層的厚度為

11.如權利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的厚度為

12.如權利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述頂部電極的材料為鍺硅。

13.如權利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述壓力傳感區為環形，寬度為5um～10um。