[發明專利]射頻放大器的電源管理電路和射頻收發器在審
| 申請號: | 201410272905.4 | 申請日: | 2014-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN104378070A | 公開(公告)日: | 2015-02-25 |
| 發明(設計)人: | 劉斌 | 申請(專利權)人: | 深圳市國創新能源研究院 |
| 主分類號: | H03F3/189 | 分類號: | H03F3/189;H03F1/26;H04B1/40 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 劉朗星 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射頻放大器 電源 管理 電路 射頻 收發 | ||
1.一種射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述電路包括開關驅動單元、開關單元、低頻去耦電容、中頻去耦電容、高頻去耦電容和開關輸出去耦電容,其中,
所述開關驅動單元的輸入端連接控制信號的輸入端,所述開關驅動單元的輸出端與至少兩個所述開關單元的控制端相連;
所述開關單元的輸入端與電源的輸入端相連,所述開關單元的輸出端有且僅與一個射頻放大器的控制端連接;
所述開關單元的輸入端與地之間并聯有低頻去耦電容、中頻去耦電容、高頻去耦電容;
所述開關單元的輸出端與地之間連接有所述開關輸出去耦電容。
2.根據權利要求1所述射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述射頻放大器包括第一射頻放大器和第二射頻放大器,所述開關單元包括第一開關單元和第二開關單元,所述低頻去偶電容包括第一低頻去耦電容C101和第二低頻去耦電容C201,所述中頻去耦電容包括第一中頻去耦電容C102和第二中頻去耦電容C202,所述高頻去耦電容包括第一高頻去耦電容C103和第二高頻去耦電容C203,所述開關輸出去耦電容包括第一開關輸出去耦電容C104和第二開關輸出去耦電容C204,其中,
所述開關驅動單元的輸出端與第一開關單元的控制端相連,所述開關驅動單元的輸出端還與第二開關單元的控制端相連;
所述第一開關單元的輸入端與電源的輸入端相連,所述第一開關單元的輸出端與第一射頻放大器的控制端連接;
所述第一低頻去耦電容C101、第一中頻去耦電容C102、第一高頻去耦電容C103并聯于所述第一開關單元的輸入端與地之間;
所述第一開關輸出去耦電容C104連接于所述第一開關單元的輸出端與地之間;
所述第二開關單元的輸入端與電源的輸入端相連,所述第二開關單元的輸出端與第二射頻放大器的控制端連接;
所述第二低頻去耦電容C201、第二中頻去耦電容C202、第二高頻去耦電容C203并聯于所述第二開關單元的輸入端與地之間;
所述第二開關輸出去耦電容C204連接于所述第二開關單元的輸出端與地之間。
3.根據權利要求1所述射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述開關驅動單元為反相器或者緩沖器。
4.根據權利要求1所述射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述開關單元為開關管。
5.根據權利要求1所述射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述開關管為MOS管,所述MOS管的源極為開關單元的輸入端,所述MOS管的漏極為開關單元的輸出端,所述MOS管的柵極為開關單元的控制端。
6.根據權利要求1所述的射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述開關輸出去耦電容為低頻去耦電容。
7.根據權利要求6所述的射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述低頻去耦電容根據所述射頻放大器的工作頻率確定。
8.根據權利要求1所述的射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述射頻放大器的控制端為單片微波集成電路MMIC功率放大器的集電極。
9.根據權利要求1所述的射頻放大器的電源管理電路,其特征在于,所述開關單元在電路板上緊貼所述射頻放大器。
10.一種射頻收發器,其特征在于,所述射頻收發器包括權利要求1-9任一項所述的射頻放大器的電源管理電路。
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