[發明專利]陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置

在審

• 申請號: 201410272714.8
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104133313A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 劉圣烈;宋泳錫;金熙哲;崔承鎮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

技術領域

本發明屬于液晶顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置。

背景技術

高級超維場轉換模式(ADS模式)的液晶顯示裝置具有視角寬、透過率高、清晰度高等諸多優點，故成為液晶顯示裝置的一種重要模式。

如圖1所示，在ADS模式的陣列基板中，板狀的第一透明電極111、薄膜晶體管的柵極21/柵線22均設在基底9上，柵絕緣層31覆蓋第一透明電極111、柵極21、柵線22等，柵極21上方設有半導體層41(半導體層41加上歐姆接觸層、過渡層等即構成薄膜晶體管的有源區)，鈍化層5、平坦化層6依次覆蓋半導體層41和柵絕緣層31，平坦化層6上設有數據線Data和第二透明電極121，數據線Data、第二透明電極121分別與薄膜晶體管的源極71、漏極72電連接，且第二透明電極121為狹縫電極，位于第一透明電極111上方。當然，應當理解，雖然以上是以第二透明電極121為像素電極，第一透明電極111為公共電極的情況為例；但若第一透明電極111為像素電極(即其與漏極72電連接)，第二透明電極121為公共電極，也是可行的。

如圖1所示，在現有的ADS模式的陣列基板中，柵極21/柵線22、半導體層41、第一透明電極111、源極71/漏極72、第二透明電極121需要分別在不同的構圖工藝中制造，即為制造這些結構至少需要進行6次光刻，因此其制備工藝復雜。

同時，柵絕緣層31覆蓋了整個基底9，即柵絕緣層31在第一透明電極111和第二透明電極121間也有分布，而該位置的柵絕緣層31一方面增大了兩電極間的距離，降低了電場強度和電容，影響了驅動效果；另一方面，該柵絕緣層31也會影響透光，降低陣列基板的透過率。

發明內容

本發明所要解決的技術問題包括，針對現有的ADS模式陣列基板制造工藝復雜、驅動效果不好、透過率低的問題，提供一種制造工藝簡單、驅動效果好、透過率高的陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板制備方法，其包括：

步驟1：在基底上依次形成第一透明導電材料層、絕緣材料層、半導體材料層、光刻膠層，并通過構圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導體層、第一透明電極的圖形；其中，所述柵絕緣層不超出所述柵極和柵線上方；

步驟2：在所述基底上形成鈍化層，并在所述鈍化層中形成與所述半導體層相連的源極過孔和漏極過孔；

步驟3：在所述基底上依次形成第二透明導電材料層和源漏金屬層，并通過構圖工藝形成包括源極、漏極、第二透明電極的圖形，其中所述源極、漏極分別通過源極過孔、漏極過孔與所述半導體層電連接，且所述源極、漏極包括層疊的第二透明導電材料層和源漏金屬層。

優選的是，所述步驟1具體包括：

步驟11、在基底上依次形成第一透明導電材料層、絕緣材料層、半導體材料層、光刻膠層；

步驟12、對所述光刻膠層階梯曝光并顯影，使柵極位置保留第一厚度的光刻膠層，柵線位置保留第二厚度的光刻膠層，第一透明電極位置保留第三厚度的光刻膠層，其余位置無光刻膠層，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度；

步驟13、除去無光刻膠區域的所述半導體材料層、絕緣材料層、第一透明導電材料層；

步驟14、除去第三厚度的光刻膠層，使第一透明電極位置的所述半導體材料層暴露；

步驟15、除去第一透明電極位置的所述半導體材料層、絕緣材料層，形成第一透明電極的圖形；

步驟16、除去厚度等于柵線位置剩余光刻膠層厚度的光刻膠層，使柵線位置的所述半導體層暴露；

步驟17、除去柵線位置的所述半導體材料層，形成柵線的圖形；

步驟18、除去剩余的光刻膠層，形成柵極、柵絕緣層、半導體層的圖形。

優選的是，所述步驟3具體包括：

步驟31、在所述基底上依次形成第二透明導電材料層、源漏金屬層、光刻膠層；

步驟32、對所述光刻膠層階梯曝光并顯影，使源極、漏極位置保留第四厚度的光刻膠層，第二透明電極位置保留第五厚度的光刻膠層，其余位置無光刻膠層，其中第四厚度大于第五厚度；

步驟33、除去無光刻膠區域的所述第二透明導電材料層和源漏金屬層；

步驟34、除去第五厚度的光刻膠層，使第二透明電極位置的所述源漏金屬層暴露；

步驟35、除去第二透明電極位置的所述源漏金屬層，形成第二透明電極的圖形；

步驟36、除去剩余的光刻膠層，形成源極、漏極的圖形。