[發(fā)明專利]一種IGBT模塊并聯(lián)配對(duì)測(cè)試裝置及測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410271664.1
• 申請(qǐng)日: 2014-06-17
• 公開（公告）號(hào): CN105223486A
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊海江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫納旭測(cè)控科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 曾少麗

1.一種IGBT模塊并聯(lián)配對(duì)測(cè)試裝置，其特征在于：包括上位機(jī)、通訊模塊、脈沖電流源、模擬量采集模塊以及電壓傳感器、電流傳感器；

上位機(jī)與通訊模塊電信號(hào)連接，通訊模塊與脈沖電流源的控制端電信號(hào)連接，脈沖電流源與IGBT模塊電連接，電流傳感器與IGBT模塊串聯(lián)，電壓傳感器與IGBT模塊并聯(lián)，模擬量采集模塊的信號(hào)輸入端與電壓傳感器、電流傳感器的信號(hào)輸出端電信號(hào)連接，模擬量采集模塊的信號(hào)輸出端與上位機(jī)的信號(hào)輸入端電信號(hào)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種IGBT模塊并聯(lián)配對(duì)測(cè)試裝置，其特征在于：所述脈沖電流源包括用于儲(chǔ)能的電解電容，所述電解電容與IGBT模塊串聯(lián)，所述電解電容與IGBT模塊的串聯(lián)回路中設(shè)有晶閘管開關(guān)。

3.一種IGBT模塊并聯(lián)配對(duì)測(cè)試方法，其特征在于：上位機(jī)通過通訊模塊控制脈沖電流源向IGBT模塊發(fā)送脈沖電流，模擬量采集模塊通過與IGBT模塊連接的電壓傳感器、電流傳感器捕捉額定電流流過IGBT模塊時(shí)IGBT模塊的壓降值，并將所述壓降值反饋到上位機(jī)分類存儲(chǔ)，上位機(jī)將壓降值相差小于50mV的IGBT模塊存儲(chǔ)為同一類。