[發明專利]TFT陣列基板結構在審
| 申請號： | 201410271512.1 | 申請日： | 2014-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN104007590A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 吳川;羅時勛 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tft 陣列 板結 | ||
1.一種TFT陣列基板結構，包括對應黑色矩陣(2)設置的數個子像素(4)，所述每一子像素(4)包括對應黑色矩陣(2)設置的主區域(42)與次區域(44)，在子像素之間設有數據線(6)，在主區域(42)與次區域(44)之間設有柵極掃描線(8)，其特征在于，在相鄰的兩個子像素(4)之間設有像素電極主干(10)，在該兩個子像素(4)的主區域(42)與次區域(44)上分別設置像素電極分支(12)，所述像素電極分支(12)分別電性連接像素電極主干(10)。
2.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述像素電極主干(10)位于所述數據線(6)上方。
3.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述像素電極主干(10)的寬度小于在所述兩個子像素(4)之間的黑色矩陣(2)的寬度。
4.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述兩個子像素的兩個主區域(42)內的像素電極分支(12)共同形成X形。
5.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于,所述兩個子像素的兩個次區域(44)內的像素電極分支(12)共同形成X形。
6.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述兩個子像素的兩個主區域(42)與兩個次區域(44)內的像素電極分支(12)共同形成X形。
7.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述像素電極主干(10)與像素電極分支(12)由氧化銦錫制成。
8.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述TFT陣列基板結構用于垂直配向型液晶顯示面板。
9.如權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，所述TFT陣列基板結構用于曲面液晶顯示面板。
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