[發(fā)明專利]一種晶體夾持結(jié)構(gòu)及晶體夾持焊接方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410271202.X
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN105322415A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王培峰;金朝龍
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州天弘激光股份有限公司
• 主分類號: H01S3/02
• 分類號: H01S3/02
• 代理公司: 深圳市科進(jìn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44316
• 代理人: 宋鷹武;沈祖鋒

1.一種晶體夾持結(jié)構(gòu)，其包括上蓋及底座，所述上蓋和所述底座相互配合構(gòu)成一個(gè)容置部，所述容置部收容包裹好銦片的晶體，其特征在于，所述上蓋開設(shè)有多條工藝槽，所述工藝槽朝所述上蓋的內(nèi)部延伸，所述底座開設(shè)有連通所述容置部的導(dǎo)銦槽。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體夾持結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上蓋朝向所述底座的表面開設(shè)有第一收容槽，所述底座朝向所述上蓋的表面為傾斜表面，其開設(shè)有第二收容槽，所述第一收容槽和所述第二收容槽相匹配，且共同構(gòu)成所述容置部。

3.如權(quán)利要求2所述的晶體夾持結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上蓋開設(shè)有三條所述工藝槽，其中兩條所述工藝槽開設(shè)于所述上蓋遠(yuǎn)離所述底座的表面，另一條所述工藝槽開設(shè)于所述第一收容槽的底部，且和所述第一收容槽連通。

4.如權(quán)利要求2所述的晶體夾持結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二收容槽的底部開設(shè)有導(dǎo)銦槽，所述導(dǎo)銦槽和所述第二收容槽連通。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體夾持結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上蓋和所述底座均為紫銅材料，且表面鍍金。

6.如權(quán)利要求1所述的晶體夾持結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述容置部的內(nèi)表面和所述底座的底面均采用拋光處理。

7.如權(quán)利要求1所述的晶體夾持結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述容置部和所述包裹好銦片的晶體為負(fù)公差配合。

8.如權(quán)利要求1所述的晶體夾持結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上蓋和所述底座通過螺釘固定。

9.一種晶體夾持焊接方法，其特征在于，包括如下步驟：

S101、將包裹好銦片的晶體放到底座上，并采用固定件固定上蓋和底座，形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)；

S103、將所述整體結(jié)構(gòu)放至真空加熱爐內(nèi)，對所述真空加熱爐抽真空后在預(yù)設(shè)溫度下進(jìn)行加熱；

S105、待所述真空加熱爐內(nèi)溫度升至所述預(yù)設(shè)溫度后，保持預(yù)定時(shí)間后關(guān)閉所述真空加熱爐的加熱裝置，并靜置至所述真空加熱爐內(nèi)溫度自然冷卻到室溫；

S107、去除所述固定件，即完成晶體夾持焊接。

10.如權(quán)利要求9所述的晶體夾持焊接方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度為170-180℃，所述預(yù)定時(shí)間為15-30分鐘。