[發明專利]平面VDMOS器件的制造方法

在審

• 申請號: 201410271095.0
• 申請日: 2014-06-17
• 公開（公告）號: CN105206528A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種平面VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

在外延層的表面上生成柵氧層；

在所述柵氧層的表面上依次生成多晶硅層和光刻膠層，對所述光刻膠層和多晶硅層進行光刻和刻蝕，形成體區注入窗口；

通過所述體區注入窗口對所述外延層進行第一離子的注入和驅入，形成體區；

在所述體區注入窗口中所述柵氧層的表面上生成光刻膠層，對所述柵氧層表面上和所述多晶硅層表面上的光刻膠層進行光刻和刻蝕，形成源區注入窗口；

通過所述源區注入窗口對所述外延層進行第二離子的注入和驅入，形成源區；

通過所述體區注入窗口對所述外延層進行第三離子的注入，形成深體區；

在所述多晶硅層的表面上依次生成介質層和金屬層，并對所述金屬層進行光刻和刻蝕，形成柵極引線和源極引線，得到平面VDMOS器件。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述柵氧層的表面上依次生成多晶硅層和光刻膠層，對所述光刻膠層和多晶硅層進行光刻和刻蝕，形成體區注入窗口，包括：

在所述柵氧層的表面上依次生成多晶硅層和光刻膠層；

對所述光刻膠層進行光刻，對所述多晶硅層進行干法刻蝕，形成所述體區注入窗口。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述體區注入窗口中所述柵氧層的表面上生成光刻膠層，對所述柵氧層表面上和所述多晶硅層表面上的光刻膠層進行光刻和刻蝕，形成源區注入窗口，包括：

去掉所述多晶硅層表面上的光刻膠層；

在所述多晶硅層的表面上和所述體區注入窗口中所述柵氧層的表面上生成光刻膠層，對所述柵氧層表面上和所述多晶硅層表面上的光刻膠層進行光刻和刻蝕，形成所述源區注入窗口。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過所述體區注入窗口對所述外延層進行第三離子的注入，形成深體區之前，所述方法還包括：

去掉所述柵氧層表面上和所述多晶硅層表面上的光刻膠層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層的表面上依次生成介質層和金屬層，并對所述金屬層進行光刻和刻蝕，形成柵極引線和源極引線，得到平面VDMOS器件，包括：

在所述多晶硅層的表面上生成介質層，對所述介質層進行光刻和刻蝕，形成接觸孔；

在所述介質層的表面上生成金屬層，對所述金屬層進行光刻和刻蝕，形成柵極引線和源極引線，得到平面VDMOS器件。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述介質層的材料為氧化硅。