[發(fā)明專(zhuān)利]無(wú)邊框LED的封裝方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410271081.9
• 申請(qǐng)日: 2014-06-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104022193B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭劍飛;蘇水源;鄭成亮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廈門(mén)多彩光電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/48;H01L33/50
• 代理公司: 廈門(mén)市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司35218
• 代理人: 方惠春

1.一種無(wú)邊框LED的封裝方法，包括制作支架、固晶、焊線、點(diǎn)膠和切割等工藝步驟，具體包括如下步驟：

步驟1：制作支架：將0.05-0.10mm厚的電解銅箔切割成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，同時(shí)，在得到的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的正反面附上有機(jī)硅膠，然后將網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與兩面的有機(jī)硅膠壓合，形成片狀的支架；在支架的表面上位于固晶的位置處設(shè)置熱沉；然后在具有熱沉的支架上的這一表面電鍍一層鍍銀層，鍍銀層厚度控制在80-150mil；鍍銀層上設(shè)有電極焊盤(pán)，電極焊盤(pán)設(shè)置于鋪設(shè)有熱沉的鍍銀層的位置處，電極焊盤(pán)包括正負(fù)極焊盤(pán)，在正負(fù)極焊盤(pán)之間設(shè)置隔層；?

步驟2：固晶：對(duì)步驟1獲得的支架進(jìn)行除濕烘烤，并將LED芯片固化在支架上；?

步驟3：焊線：將固化LED芯片后的支架，在負(fù)壓100千怕的條件下進(jìn)行電漿清洗5-10min，清洗完畢后進(jìn)行焊線；

步驟4：點(diǎn)膠和切割，經(jīng)過(guò)固晶焊線步驟之后，通過(guò)高粘度的有機(jī)熒光膠點(diǎn)膠，然后烘烤，最后進(jìn)行切割和分光；所述高粘度的有機(jī)熒光膠的粘度為15000-20000Pas。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)邊框LED的封裝方法，其特征在于：步驟3中的焊線，是采用金線或者合金線進(jìn)行焊線，對(duì)于大功率的LED芯片使用1.2-1.5mil?的線，中小功率的LED芯片選擇0.9-1.0mil的線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)邊框LED的封裝方法，其特征在于：所述鍍銀層選用鏡面亮銀制成的鍍銀層，支架的整體結(jié)構(gòu)為平面結(jié)構(gòu)，該鍍銀層的鏡面亮銀作為反射層，使LED芯片光線充分反射，提高了整個(gè)封裝的光效。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)邊框LED的封裝方法，其特征在于：所述步驟4中，點(diǎn)膠后形成半球型的熒光膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)邊框LED的封裝方法，其特征在于：所述熱沉為金屬熱沉，且該熱沉在其另一面成型為電極焊盤(pán)的電極；其中，用于放置LED芯片的金屬熱沉的面積大于電極焊盤(pán)的面積的3倍以上。

6.一種無(wú)邊框LED的封裝裝置，包括支架以及封裝支架上的LED芯片的半球型熒光膠；

該支架的正反面壓合有有機(jī)硅膠層，支架上依次設(shè)有有機(jī)硅膠層、熱沉和鍍銀層，熱沉位于支架上的固晶的位置處，鍍銀層鋪設(shè)整個(gè)支架表面；

LED芯片設(shè)于鍍銀層上；鍍銀層厚度選用120-150㏕，配合于所述熱沉的表面，分別連接LED芯片的正負(fù)電極，具有與LED芯片的底部相結(jié)合的固定部分；

鍍銀層上設(shè)有電極焊盤(pán)，電極焊盤(pán)設(shè)置于鋪設(shè)有熱沉的鍍銀層的位置處，電極焊盤(pán)包括正負(fù)極焊盤(pán)，在正負(fù)極焊盤(pán)之間設(shè)置隔層；

熱沉位于固晶位置，該固晶位置包括金屬的位置和焊線的位置，具有與LED芯片底部對(duì)應(yīng)的所述鍍銀層相配合的底面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無(wú)邊框LED的封裝裝置，其特征在于：所述隔層是選用材料為乙烯基的硅氧烷聚合物隔層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無(wú)邊框LED的封裝裝置，其特征在于：所述熱沉為金屬熱沉，且該熱沉在其另一面成型為電極焊盤(pán)的電極；其中，用于放置LED芯片的金屬熱沉的面積大于電極焊盤(pán)的面積的3倍以上。