[發明專利]用作薄膜晶體管溝道層的非晶氧化物薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201410270566.6 | 申請日： | 2014-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN104022159B | 公開（公告）日： | 2017-03-08 |
| 發明（設計）人： | 呂建國;江慶軍;孫汝杰;閆偉超;楊振輝;葉志鎮 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 杭州宇信知識產權代理事務所(普通合伙)33231 | 代理人： | 張宇娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用作 薄膜晶體管 溝道 氧化物 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.用作薄膜晶體管溝道層的非晶氧化物薄膜，其特征在于：所述非晶氧化物薄膜的化學式為Zn4AlxSn7O1.5X+18，其中：0≦x≦0.5。
2.根據權利要求1所述的用作薄膜晶體管溝道層的非晶氧化物薄膜，其特征在于：所述非晶氧化物薄膜及用其作溝道層制作的薄膜晶體管物理特性如下：
表面粗糙度RMS小于5nm；
載流子濃度1014～1017cm-3；
閾值電壓為-4～3V；
遷移率為2～10cm2V-1S-1；
透過率>80％。
3.制備權利要求1或2所述的用作薄膜晶體管溝道層的非晶氧化物薄膜的方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)將稱量好的Zn(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O及SnCl2+NH4NO3分別溶解于二甲氧基乙醇、乙酰丙酮以及氨水組成的混合溶液中，配成前驅體溶液，并在常溫～50℃下攪拌6～24h，經過過濾后按照Zn:Al:Sn＝4:x:7比例混合均勻，其中：0≦x≦0.5，陳化4～24h；
(2)將步驟(1)陳化后所得到的溶液在襯底上旋涂成膜，旋涂的轉速為：2000～4500rpm，旋涂時間為10～60s；
(3)將步驟(2)旋涂所得到的薄膜進行退火處理，退火處理的溫度為100～400℃，退火時間為10～90min；
(4)多次重復步驟(2)和步驟(3)，直到得到的薄膜厚度為10～50nm。
4.根據權利要求3所述的用作薄膜晶體管溝道層的非晶氧化物薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述的Zn(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、SnCl2、NH4NO3的純度均在99.99％以上。
5.根據權利要求3所述的用作薄膜晶體管溝道層的非晶氧化物薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述襯底可以為單晶硅片、藍寶石、石英、玻璃、聚碳酸酯或苯二甲酸乙二酯。
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