[發(fā)明專利]一種測量阻變存儲器狀態(tài)密度的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410270200.9 | 申請日: | 2014-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN104051022A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧年端;李泠;劉明;閆小兵;呂杭炳;孫鵬霄 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | G11C29/08 | 分類號: | G11C29/08 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 測量 存儲器 狀態(tài) 密度 方法 | ||
1.一種測量阻變存儲器狀態(tài)密度的方法,其特征在于,該方法包括:
實(shí)驗(yàn)測量阻變存儲器電流的馳豫效應(yīng),得到該阻變存儲器實(shí)驗(yàn)測量的電流值;
根據(jù)該實(shí)驗(yàn)測量的電流值來選取該阻變存儲器的狀態(tài)密度寬度;
根據(jù)選取的該阻變存儲器的狀態(tài)密度寬度計(jì)算得到該阻變存儲器狀態(tài)密度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量阻變存儲器狀態(tài)密度的方法,其特征在于,所述實(shí)驗(yàn)測量阻變存儲器電流的馳豫效應(yīng),得到該阻變存儲器實(shí)驗(yàn)測量的電流值,包括:
采用半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)對阻變存儲器電流的馳豫效應(yīng)進(jìn)行測量,得到該阻變存儲器實(shí)驗(yàn)測量的電流值,該實(shí)驗(yàn)測量的電流值是隨時間變化的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量阻變存儲器狀態(tài)密度的方法,其特征在于,所述根據(jù)該實(shí)驗(yàn)測量的電流值來選取該阻變存儲器的狀態(tài)密度寬度,包括:
首先確定單位體積的狀態(tài)數(shù)量Nt,品格常數(shù)α-1以及聲子振動的頻率v0這三個參數(shù),然后選取不同的狀態(tài)密度寬度σ代入公式(1)至公式(10)理論計(jì)算該阻變存儲器隨時間變化的電流值,當(dāng)理論計(jì)算的該阻變存儲器隨時間變化的電流值與所述實(shí)驗(yàn)測量的電流值的誤差小于5%時,選取此時的狀態(tài)密度寬度σ為該阻變存儲器的狀態(tài)密度寬度σ。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測量阻變存儲器狀態(tài)密度的方法,其特征在于,所述確定單位體積的狀態(tài)數(shù)量Nt,晶格常數(shù)α-1以及聲子振動的頻率v0這三個參數(shù),Nt的范圍為1×1022至1×1029m3,晶格常數(shù)α-1的范圍為0.5nm至5nm,聲子振動的頻率v0范圍為1×1010s-1至1×1013s-1。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測量阻變存儲器狀態(tài)密度的方法,其特征在于,所述選取不同的狀態(tài)密度寬度σ代入公式(1)至公式(10)理論計(jì)算該阻變存儲器隨時間變化的電流值的過程中,狀態(tài)密度寬度σ從1kBT開始,步長為0.1kBT,在1kBT至6kBT范圍內(nèi)選取。
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