[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410268834.0
• 申請日: 2014-06-16
• 公開（公告）號: CN104851939B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳世偉
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/073;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/0445;H01L31/06;H01L31/0749
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種用于制造太陽能電池的方法，包括：

在襯底的前側(cè)上形成后接觸層；

在所述后接觸層上形成吸收層；

在所述襯底的后側(cè)上施加保護(hù)層；

在所述吸收層上沉積緩沖層，其中，在所述沉積期間在所述襯底的后側(cè)上沉積過量的緩沖材料；以及

去除在所述襯底的后側(cè)上的所述保護(hù)層和所述過量的緩沖材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過化學(xué)浴沉積(CBD)實(shí)施所述沉積步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述沉積步驟包括：

將所述吸收層浸入緩沖溶液槽中；以及

清洗所述吸收層，以從所述吸收層去除所述緩沖溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在5℃到120℃的溫度范圍內(nèi)實(shí)施所述沉積步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在5℃到120℃的恒浴溫度范圍內(nèi)實(shí)施所述沉積步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在50℃到100℃的恒浴溫度范圍內(nèi)實(shí)施所述沉積步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述沉積步驟包括將所述吸收層浸入所述緩沖溶液槽中15分鐘以上的一段時(shí)間。

8.一種用于制造太陽能電池的方法，包括：

提供太陽能電池子結(jié)構(gòu)，所述太陽能電池子結(jié)構(gòu)包括位于襯底的前側(cè)上方的吸收層；

在與所述前側(cè)相對的所述襯底的后側(cè)上施加保護(hù)層；

在所述太陽能電池子結(jié)構(gòu)周圍沉積緩沖層，所述沉積包括在所述吸收層上沉積所述緩沖層；以及

從所述子結(jié)構(gòu)去除所述保護(hù)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述保護(hù)層包括靜電材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述保護(hù)層包括粘合劑。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述保護(hù)層包括靜電帶。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述保護(hù)層包括選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚醋酸乙烯酯和聚酰胺組成的組的材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述保護(hù)層具有在從0.5mm到5mm的范圍內(nèi)的厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述施加步驟包括以所述保護(hù)層覆蓋所述后側(cè)并且將所述保護(hù)層壓在所述后側(cè)上。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，施加所述保護(hù)層以便包括延伸超過所述襯底的邊緣的自由端，且所述去除的步驟包括：

在所述自由端處抓緊所述保護(hù)層；以及

從所述子結(jié)構(gòu)分離所述保護(hù)層。

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述吸收層包括銅銦鎵硒(CIGS)。

17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述緩沖層包括硫化鎘(CdS)。

18.一種太陽能電池子結(jié)構(gòu)，包括：

后接觸層，位于襯底的前側(cè)上方；

吸收層，位于所述后接觸層上方；

緩沖層，位于所述吸收層上，所述緩沖層包括緩沖層材料；以及

保護(hù)層，位于所述襯底的后側(cè)上，其中，所述保護(hù)層包括靜電帶；

額外的緩沖層材料，位于所述保護(hù)層上，

其中，所述保護(hù)層和所述額外的緩沖層材料隨后被去除。