[發明專利]一種鈣鈦礦膜及其制備與應用方法

有效

• 申請號: 201410268812.4
• 申請日: 2014-06-17
• 公開（公告）號: CN104022185B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 譚占鰲;李聰;侯旭亮;于露;屈江江
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0264
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246
• 代理人: 張文寶

1.一種鈣鈦礦膜的制備方法，其特征在于：使用兩步真空法，得到一層致密的鈣鈦礦膜。

2.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦膜的制備方法，其特征在于，具體方法如下：

將鹵化鉛PbX₂前驅體溶液旋涂在空穴傳輸層上，加熱烘干，然后將鹵化鉛膜移至真空干燥箱內，在鹵化鉛膜周圍撒上烷基鹵化胺粉末，蓋上培養皿蓋，加熱使烷基鹵化胺揮發出來與鹵化鉛直接反應生成一層致密的有機金屬鹵化物鈣鈦礦層。

3.根據權利要求2所述的一種鈣鈦礦膜的制備方法，其特征在于：所述X為Cl、Br或I。

4.根據權利要求2所述的一種鈣鈦礦膜的制備方法，其特征在于：所述鹵化鉛為PbI₂，烷基鹵化胺為CH₃NH₃I，有機金屬鹵化物鈣鈦礦層為CH₃NH₃PbI₃。

5.根據權利要求2所述的一種鈣鈦礦膜的制備方法，其特征在于：所述鹵化鉛PbX₂前驅體溶液的溶劑為DMF、γ-丁內酯中的一種或兩種。

6.一種鈣鈦礦膜，其特征在于：所述鈣鈦礦膜是由權利要求1～5任意一項權利要求所述的方法制備得到的。

7.如權利要求6所述的一種鈣鈦礦膜的應用方法，其特征在于：所述鈣鈦礦膜用于制備鈣鈦礦太陽電池。

8.根據權利要求7所述的一種鈣鈦礦膜的應用方法，其特征在于：所述鈣鈦礦太陽電池中透明導電金屬氧化物層、空穴傳輸層、鈣鈦礦膜、電子傳輸層和金屬電極層順次相連。

9.根據權利要求8所述的一種鈣鈦礦膜的應用方法，其特征在于：所述空穴傳輸層的材質為高功函金屬氧化物、p型共軛聚合物和p型導電聚合物中的一種或多種。

10.根據權利要求8所述的一種鈣鈦礦膜的應用方法，其特征在于：所述的電子傳輸層的材質為n型金屬氧化物、富勒烯及其衍生物、n型共軛聚合物和n型導電聚合物中的一種或多種。