[發明專利]一種Flash器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201410268365.2
• 申請日: 2014-06-16
• 公開（公告）號: CN105206611B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 張金霜;楊蕓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種Flash器件制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：提供一具有底部襯底的半導體器件，于該底部襯底上設置單元器件區和高壓器件區，并在位于所述單元器件區的襯底之上設置若干第一堆疊柵結構，在位于所述高壓器件區的襯底之上設置第二堆疊柵結構，且所述第一堆疊柵結構和所述第二堆疊柵結構均包括一控制柵；

步驟S2：制備一層氧化層后，在相鄰的所述第一堆疊柵結構之間的襯底內形成源漏摻雜區；

步驟S3：涂覆一有機電介質層并對該有機電介質層進行刻蝕，使得剩余的有機電介質層的頂部高度介于所述控制柵的頂部高度與底部高度之間；

步驟S4：以所述剩余的有機電介質層為阻擋層刻蝕去除暴露的氧化層；移除該剩余的有機電介質層，暴露出剩余的氧化層；

步驟S5：對所述剩余的氧化層進行減薄，形成底部氧化層；

步驟S6：沉積一層金屬層，并進行第一退火工藝，部分所述金屬層與所述源漏摻雜區及控制柵反應，于所述源漏極上表面及控制柵內形成金屬硅化物層；刻蝕選擇性移除未與襯底反應的金屬層，繼續進行第二退火工藝以降低器件電阻。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬硅化物位于單元器件區和高壓器件區的源漏摻雜區的部分上表面，以及位于第一堆疊柵結構的控制柵部分內部側壁及第二堆疊柵結構的控制柵頂部。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一堆疊柵結構和第二堆疊柵結構自下而上均設置有隧穿氧化層、浮柵、介質層和控制柵；

其中，位于所述第一堆疊柵結構的控制柵之上還設置有一層氮化硅層。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用LPCVD工藝制備所述氧化層。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除暴露的氧化層。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除所述剩余的有機電介質層。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝對所述剩余的氧化層進行減薄并形成所述底部氧化層，且所述底部氧化層厚度小于

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用自對準工藝沉積所述金屬層。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層的材質為鎳鉑合金。

10.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，沉積所述金屬層的厚度大于

11.一種Flash器件，其特征在于，所述器件包括一底部襯底，所述襯底上設置單元器件區和高壓器件區，位于所述單元器件區的襯底之上設置有若干第一堆疊柵結構，位于所述高壓器件區的襯底之上設置有第二堆疊柵結構，所述第一堆疊柵結構和第二堆疊柵結構的底部兩側位于襯底內設置有源漏摻雜區；所述第一堆疊柵結構和第二堆疊柵結構自下而上均設置有隧穿氧化層、浮柵、介質層和控制柵；

其中，所述單元器件區和高壓器件區的源漏極摻雜區的部分上表面以及所述第一堆疊柵結構的控制柵部分內部側壁和第二堆疊柵結構的控制柵頂部均形成有金屬硅化物層。

12.如權利要求11所述的器件，其特征在于，所述第一堆疊柵結構的控制柵頂部還設置有一氮化硅層。

13.如權利要求11所述的器件，其特征在于，所述第二堆疊柵結構的兩側形成有側壁結構。

14.如權利要求13所述的器件，其特征在于，所述第一堆疊柵結構和側壁結構的兩側還形成有底部氧化層；所述底部氧化層的頂部高度介于所述控制柵的頂部高度與底部高度之間。

15.如權利要求11所述的器件，其特征在于，所述金屬硅化物層為鎳硅化合物。