[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號： | 201410267799.0 | 申請日： | 2014-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN104091804A | 公開（公告）日： | 2014-10-08 |
| 發明（設計）人： | 黎午升;曹占鋒 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，包括顯示區域，所述顯示區域包括多個像素單元，所述像素單元包括第一區域和第二區域，所述第一區域包括薄膜晶體管，所述第二區域包括像素電極；其特征在于，多個所述第一區域中的至少一個為測試區域，在此情況下，所述第一區域還包括位于所述薄膜晶體管漏極表面的測試層；
其中，在測試時間，所述測試層與所述像素電極電連接；
在非測試時間，所述測試層與所述像素電極絕緣。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，多個所述測試區域均勻分布。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述測試區域分布于所述陣列基板的四個角。
4.根據權利要求1或3所述的陣列基板，其特征在于，所述測試區域位于所述陣列基板的中心區域。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述測試層由金屬氧化物半導體材料構成。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.一種陣列基板的制作方法，包括形成顯示區域的方法；所述顯示區域包括多個像素單元，所述像素單元包括第一區域和第二區域，所述第一區域包括薄膜晶體管，所述第二區域包括像素電極；其特征在于，當多個所述第一區域中的至少一個為測試區域時，形成所述第一區域的方法包括：
在所述薄膜晶體管漏極的表面形成測試層；
在測試時間，將所述測試層與所述像素電極電連接；
在非測試時間，將所述測試層與所述像素電極絕緣。
8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述測試層由金屬氧化物半導體材料構成。
9.根據權利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在測試時間，將所述測試層與所述像素電極電連接的方法包括：
對所述測試層進行氫化處理，以使得所述測試層具有導電性能。
10.根據權利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在非測試時間，將所述測試層與所述像素電極絕緣的方法包括：
對所述測試層進行氧化處理，以使得所述測試層具有絕緣性能。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
