[發明專利]多晶硅片的制絨工藝

有效

• 申請號: 201410267478.0
• 申請日: 2014-06-08
• 公開（公告）號: CN104009125A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 鄔時偉
• 申請（專利權）人: 鄔時偉
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及太陽能電池的制作領域，尤其是涉及一種多晶硅片的制絨工藝。

背景技術

近年來，多晶硅太陽能電池以其轉換效率較高、性能穩定和成本適中的特點而得到越來越廣泛的應用，其產量已超越單晶硅，占據了市場的主導地位。

為了提高太陽能電池的電池轉換效率，在制作時，需要先對硅片進行化學處理，使得硅表面做成一個具有一定形狀的絨面，但是，依照現有技術，在對多晶硅太陽能電池片進行制絨后，所得硅片反射率偏高，且絨面的均勻性較差，多晶硅太陽能電池片的電池轉換效率低。

發明內容

本發明為了克服上述的不足，提供了一種反射率較低，電池轉換效率高的多晶硅片的制絨工藝。

本發明的技術方案如下：

一種多晶硅片的制絨工藝，包括以下步驟：

(1)在硅片表面噴涂一層碳化硅顆粒；

(2)在含有硝酸和氫氟酸的混合液中進行酸制絨；

(3)在氫氧化鉀溶液中進行堿制絨；

(4)在含有鹽酸和氫氟酸的混合液中進行酸洗；

(5)清洗并烘干。

步驟(1)中碳化硅顆粒的粒徑在1-10μm之間。

步驟(2)混合液中硝酸的質量分數為35％，氫氟酸的質量分數為7％，硅片在15℃下制絨1.5min。

步驟(3)中氫氧化鉀的質量分數為8％，硅片在35℃下制絨2min。

步驟(4)混合液中鹽酸的質量分數為15％，氫氟酸的質量分數為10％，硅片在25℃下酸洗0.5min，以去除氧化層和附著的堿液。

步驟(5)中在清洗之后，在35℃下烘干2.5min。

本發明的有益效果是：

本發明先噴涂碳化硅顆粒作為保護顆粒，再用酸制絨，在多晶硅片表面形成腐蝕坑，而在該過程中，由于有保護顆粒，表面被顆粒覆蓋處腐蝕緩慢，降低了硅片的反射率；然后再用堿制絨，在酸腐蝕形成的凹坑中腐蝕出金字塔的形貌，形成更多的光陷阱，改變了硅片表面的形貌結構，進一步降低了多晶硅制絨后的反射率，提高了多晶硅太陽能電池片的電池轉換效率。

具體實施方式

現在對本發明作進一步詳細的說明。

實施例1

一種多晶硅片的制絨工藝，包括以下步驟：

(1)在硅片表面噴涂一層粒徑在1-2μm的碳化硅顆粒作為保護顆粒；

(2)在15℃的條件下，在含有質量分數為35％的硝酸和質量分數為7％的氫氟酸的混合液中酸制絨1.5min；

(3)在35℃的條件下，在質量分數為8％的氫氧化鉀溶液中堿制絨2min；

(4)在25℃的條件下，在含有質量分數為15％的鹽酸和質量分數為10％的氫氟酸的混合液中酸洗0.5min，以去除氧化層和附著的堿液；

(5)在清水中清洗，并在35℃下烘干2.5min。

通過上述方法生產出來的太陽能電池片反射率為24.8％，電池轉換效率為17.51％。

實施例2

(1)在硅片表面噴涂一層粒徑在5-6μm的碳化硅顆粒作為保護顆粒；

(2)在15℃的條件下，在含有質量分數為35％的硝酸和質量分數為7％的氫氟酸的混合液中酸制絨1.5min；

(3)在35℃的條件下，在質量分數為8％的氫氧化鉀溶液中堿制絨2min；

(4)在25℃的條件下，在含有質量分數為15％的鹽酸和質量分數為10％的氫氟酸的混合液中酸洗0.5min，以去除氧化層和附著的堿液；

(5)在清水中清洗，并在35℃下烘干2.5min。

通過上述方法生產出來的太陽能電池片反射率為22.3％，電池轉換效率為17.62％。

實施例3

(1)在硅片表面噴涂一層粒徑在9-10μm的碳化硅顆粒作為保護顆粒；

(2)在15℃的條件下，在含有質量分數為35％的硝酸和質量分數為7％的氫氟酸的混合液中酸制絨1.5min；

(3)在35℃的條件下，在質量分數為8％的氫氧化鉀溶液中堿制絨2min；

(4)在25℃的條件下，在含有質量分數為15％的鹽酸和質量分數為10％的氫氟酸的混合液中酸洗0.5min，以去除氧化層和附著的堿液；

(5)在清水中清洗，并在35℃下烘干2.5min。

通過上述方法生產出來的太陽能電池片反射率為23.1％，電池轉換效率為17.55％。

對比例

傳統的多晶硅制絨工藝如下：