[發明專利]一種用于量子點增強膜的增透膜及其制備方法在審
| 申請號： | 201410267257.3 | 申請日： | 2014-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN104049410A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 李福山;郭太良;吳薇;聶晨;林健 | 申請（專利權）人： | 福州大學 |
| 主分類號： | G02F1/13357 | 分類號： | G02F1/13357 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 量子 增強 增透膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于量子點增強膜的增透膜，其特征在于：所述的量子點增強膜設有增透膜，該增透膜位于量子點增強膜的入光面上，厚度為50nm-200nm。
2.根據權利要求1所述的用于量子點增強膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜為單層或多層。
3.根據權利要求1所述的用于量子點增強膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜由不同材料層疊構成。
4.根據權利要求3所述的用于量子點增強膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜其材料包括氟化鎂或二氧化硅。
5.根據權利要求1所述的用于量子點增強膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜其厚度為光源在增透膜介質中波長的1/4。
6.一種制備如權利要求1所述的用于量子點增強膜的增透膜的方法，其特征在于：包括電子束蒸發或磁控濺射的方法。
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