[發明專利]一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 201410266770.0
• 申請日: 2014-06-16
• 公開（公告）號: CN104191702A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 劉宏芳;董爽;肖菲;秦雙
• 申請（專利權）人: 華中科技大學;深圳華中科技大學研究院
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;G01N27/30;G01N27/333
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 梁鵬

1.一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜，其特征在于，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述納米石墨烯底層厚度在4000nm至6000nm之間，所述納米氫氧化鈷表層厚度在50nm至100nm之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所述納米石墨烯底層上。?

2.如權利要求1所述的納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜，其特征在于，所述納米石墨烯底層有皺褶和波浪狀起伏。?

3.如權利要求1所述的納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜，其特征在于，所述納米氫氧化鈷層為均勻蓬松的納米片狀結構。?

4.如權利要求1至3任意一項所述的納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：?

(1)將氧化石墨烯均勻分散與水中，形成濃度為2mg/ml～4mg/ml的氧化石墨烯溶液；?

(2)將步驟(1)中獲得的氧化石墨烯溶液涂覆在片狀導電基底上，涂覆量為0.5ml/cm²～1ml/cm²，干燥后得到納米氧化石墨烯膜；?

(3)組建三電極體系：將步驟(2)中獲得的納米氧化石墨烯膜作為工作電極，將鉑電極作為輔助電極，將飽和甘汞電極作為參比電極，每升電解液含有硫酸鈷40至60mmol和硫酸鈉0.05至0.15mol，采用循環伏安法，電位區間為-1.2～0V，掃速為40至60mV/s,循環30至50圈，將納米氧化石墨烯膜還原成納米石墨烯膜，同時將氫氧化鈷沉積在納米石墨烯膜表面，形成表面負載有納米氫氧化鈷的納米石墨烯膜；?

(4)將步驟(3)中獲得的表面負載有納米氫氧化鈷的納米石墨烯膜洗滌干燥后得到所述納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜。?

5.如權利要求4所述的納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)將氧化石墨烯均勻分散與水中采用超聲分散。?

6.如權利要求4所述的納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的水為超純水。?

7.如權利要求1至3任意一項所述的納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜應用于制備電化學傳感器。?

8.如權利要求7所述的納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜應用于制備電化學傳感器，其特征在于，所述化學傳感器為過氧化氫傳感器。?