[發明專利]一種陣列基板及其制備方法有效
| 申請號: | 201410266064.6 | 申請日: | 2014-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN104091817B | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 蓋翠麗;吳仲遠 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/528;H01L21/77;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列基板 電源導線 制備 背板 亮度非均勻性 電源線電阻 電流差異 像素單元 云紋現象 電源線 襯底 導電 電阻 像素 投影 | ||
1.一種陣列基板,包括呈陣列分布的若干像素單元,每個像素單元包括:包括設置在襯底上的有源層;與所述有源層接觸的源、漏極層,其中,源、漏極層同層間隔設置;與所述有源層絕緣設置的柵極層;其特征在于,所述的每個像素單元還包括電源導線層,所述電源導線層通過過孔直接與所述源極層連接,在源極層上設有第三絕緣層、在漏極層上設有像素電極層;
所述的電源導線層設置在襯底上,在所述的電源導線層上設有第一絕緣層,在所述的第一絕緣層上設有柵極層,在所述的柵極層上設有第二絕緣層,在所述的第二絕緣層上設有有源層,在所述的有源層上同層間隔設置源、漏極層;所述的源極層通過位于第一絕緣層和第二絕緣層中的過孔連接;
或者
所述的柵極層與襯底接觸,在所述的柵極層上設有第一絕緣層,在所述的第一絕緣層上設有有源層,在所述的有源層上同層間隔設置源、漏極層;在所述的源、漏極層上設有第二絕緣層,在所述的第二絕緣層上設有電源導線層,所述的電源導線層通過位于第二絕緣層的過孔與所述的源極層相連;
所述的電源導線層在整個像素區域呈網格狀布置。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述的電源導線層在襯底的投影至少部分與柵極層或源、漏極層在襯底的投影重合。
3.一種權利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
通過構圖工藝在襯底上形成電源導線層的步驟。
4.如權利要求3所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,在所述通過構圖工藝在襯底上形成電源導線層的步驟之后或之前還包括:
通過構圖工藝在襯底上形成有源層的步驟;
在所述電源導線層與所述有源層之間形成過孔的步驟。
5.如權利要求3或4所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述的電源導線層在襯底的投影至少部分與柵極層或源、漏極層在襯底的投影重合。
6.如權利要求3所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述的電源導線層采用銅或銅合金制作。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





