[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410265114.9
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104064472B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 卜倩倩;郭煒
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 李迪

1.一種薄膜晶體管的制備方法，包括：形成柵極金屬層，其特征在于，所述形成柵極金屬層之后，還包括：

通過一次構圖工藝形成臺階型柵結構；

進行第一次離子注入程序，形成第一重摻雜區和第二重摻雜區，所述第一重摻雜區和所述第二重摻雜區相距第一長度；

將所述臺階型柵結構形成柵極；

進行第二次離子注入程序，形成第一輕摻雜區和第二輕摻雜區，所述第一輕摻雜區和所述第二輕摻雜區相距第二長度，所述第一長度小于第二長度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成柵極金屬層，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成半導體層；

在所述半導體層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成柵極金屬層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成第一輕摻雜區和第二輕摻雜區之后，所述方法還包括：

在形成柵極的基板上形成包括有接觸孔的層間介質層；

在所述層間介質層上形成源極、漏極和數據線的圖形，所述源極通過貫穿所述柵絕緣層和所述層間介質層的接觸孔與所述第一重摻雜區連接，所述漏極通過貫穿所述柵絕緣層和所述層間介質層的接觸孔與所述第二重摻雜區連接。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過一次構圖工藝形成臺階型柵結構，包括：

在所述柵極金屬層上形成光刻膠層；

采用半色調相移掩膜板/灰色調相移掩膜板曝光所述光刻膠層，形成臺階型結構，所述臺階型結構包括：第一部分光刻膠和第二部分光刻膠，所述第一部分光刻膠的高度大于第二部分光刻膠的高度；

濕法刻蝕所述柵極金屬層未被所述臺階型結構覆蓋的區域，形成矩形柵結構，所述矩形柵結構位于所述臺階型結構的下方；

灰化處理所述臺階型結構的第二部分光刻膠，形成光刻膠結構，所述光刻膠結構包括所述第一部分光刻膠；

濕法刻蝕所述柵金屬層未被所述光刻膠結構覆蓋的區域，形成臺階型柵結構，所述臺階型柵結構具有第一高度和第二高度，所述第一高度大于第二高度，所述臺階型柵結構的第一高度區域位于所述光刻膠結構的下方；

去除所述臺階型柵結構上方的光刻膠結構。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成柵極金屬層，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成非晶硅層；

將所述非晶硅層轉化為多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成柵極金屬層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述將所述非晶硅層轉化為多晶硅層，包括：

在預設溫度下對所述非晶硅進行激光退火，形成多晶硅層。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上形成非晶硅層，包括：

在所述緩沖層上，采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積所述非晶硅層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次離子注入程序和第二次離子注入程序中的離子為下述的一種或多種：

B離子、P離子、As離子、PHx離子。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述臺階型柵結構形成柵極，包括：

濕法刻蝕所述臺階型柵結構，形成柵極，所述柵極的厚度范圍為1000埃至3000埃。

10.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用如上權利要求1至9任一項所述的方法制備。

11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求10所述的薄膜晶體管。