[發明專利]金屬互連結構的制作方法

有效

• 申請號: 201410265013.1
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN105226007B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 趙保軍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

1.一種金屬互連結構的制作方法，所述金屬互連結構包括位于下層的導電插塞及位于上層、完全覆蓋所述導電插塞的金屬線圖案，其特征在于，所述制作方法包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上具有導電插塞及其間填充的第一介質層，所述導電插塞為方形孔；

形成覆蓋所述導電插塞及第一介質層的第二介質層，在所述第二介質層上形成光刻膠，對所述光刻膠曝光、顯影，得到圖案化的光刻膠；所述曝光過程中采用的掩膜板為經光學臨近修正后的掩膜板，所述掩膜板具有金屬線圖案對應區及位于金屬線圖案對應區中的散射條，所述金屬線圖案對應區覆蓋導電插塞的三個側面，所述散射條的位置與導電插塞對應，所述散射條位于導電插塞的未被金屬線圖案對應區覆蓋的一側的對面，使得曝光后的圖案化光刻膠具有一定程度收縮，以該圖案化光刻膠為掩膜刻蝕第二介質層所形成的溝槽完全暴露出導電插塞；

以所述圖案化的光刻膠為掩膜刻蝕所述第二介質層形成溝槽，在所述溝槽內填充金屬得到金屬線圖案。

2.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述散射條為長條狀，所述散射條的長度方向沿與所述導電插塞連接處的金屬線圖案對應區的走向，所述散射條的中心與所述導電插塞的中心的連線垂直于與所述導電插塞連接處的金屬線圖案對應區的走向。

3.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，對于某一個所述導電插塞，所述散射條包括走向一致的多個。

4.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述導電插塞具有多個，所述散射條為連續的長條狀，所述連續長條狀的長度方向沿與所述多個導電插塞連接處的金屬線圖案對應區的走向。

5.根據權利要求4所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述連續長條狀散射條包括走向一致的多個。

6.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述散射條的寬度范圍為15納米-30納米。

7.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述光刻膠為正性光刻膠，所述掩膜板中金屬線圖案對應區透光，所述散射條區域不透光。

8.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述光刻膠為負性光刻膠，所述掩膜板中金屬線圖案對應區不透光，所述散射條區域透光。

9.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，經光學臨近修正后的掩膜板的獲取方法為：

設定所述散射條的初始位置、長度及寬度；

對包含散射條的金屬線圖案對應區進行光學臨近修正，若所述金屬線圖案對應區滿足需求，則將所述金屬線圖案對應區的形狀、尺寸以及散射條的位置、長度及寬度作為修正后的掩膜板；若所述金屬線圖案對應區不滿足需求，則調整所述散射條的初始位置、長度及寬度，重復對包含散射條的金屬線圖案對應區進行光學臨近修正直至滿足需求。

10.根據權利要求9所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述金屬線圖案對應區滿足需求為所述金屬線圖案完全覆蓋所述導電插塞且相鄰金屬線圖案不連通。

11.根據權利要求10所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述相鄰金屬線圖案之間的間距范圍為30納米-100納米。