[發明專利]一種基于自旋霍爾磁電阻效應的憶阻器的實現方法有效
| 申請號： | 201410264504.4 | 申請日： | 2014-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN104009155A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 宋成;憨家豪;潘峰 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L43/14 | 分類號： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐寧;孫楠 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區1*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 自旋 霍爾 磁電 效應 憶阻器 實現 方法 | ||
1.一種基于自旋霍爾磁電阻效應的憶阻器的實現方法，其包括以下步驟：
1)采用磁控濺射方法在YIG基片上生長納米厚度的Pt薄膜，采用紫外線光刻和氬離子刻蝕方法將Pt薄膜加工成“艸”字形霍爾結；
2)在“艸”字形霍爾結的縱向外加正弦電流；
3)在“艸”字形霍爾結橫向即平行于霍爾結表面且垂直于所加正弦電流的方向外加偏置磁場；
4)利用步驟2)外加的正弦電流和步驟3)外加的偏置磁場共同調節YIG基片的磁化強度，并利用自旋霍爾磁電阻效應調節Pt薄膜的電阻，生成憶阻器。
2.如權利要求1所述的一種基于自旋霍爾磁電阻效應的憶阻器的實現方法，其特征在于：所述步驟1)中，“艸”字形霍爾結由一個縱向Pt薄膜和兩個橫向Pt薄膜構成，兩個橫向Pt薄膜間隔設置在縱向Pt薄膜上，并與縱向Pt薄膜一體成型。
3.如權利要求1所述的一種基于自旋霍爾磁電阻效應的憶阻器的實現方法，其特征在于：所述步驟1)中，采用磁控濺射方法在YIG基片上生長的Pt薄膜厚度為3nm。
4.如權利要求2所述的一種基于自旋霍爾磁電阻效應的憶阻器的實現方法，其特征在于：所述步驟1)中，采用磁控濺射方法在YIG基片上生長的Pt薄膜厚度為3nm。
5.如權利要求1或2或3或4所述的一種基于自旋霍爾磁電阻效應的憶阻器的實現方法，其特征在于：所述步驟2)中，在“艸”字形霍爾結縱向外加的正弦電流為I＝800sin(t/146.4)mA。
6.如權利要求1或2或3或4所述的一種基于自旋霍爾磁電阻效應的憶阻器的實現方法，其特征在于：所述步驟3)中，外加的偏置磁場為：從t＝0時刻起，當電流增大時，該偏置磁場為零；當電流減小時，該偏置磁場為200Oe。
7.如權利要求5所述的一種基于自旋霍爾磁電阻效應的憶阻器的實現方法，其特征在于：所述步驟3)中，外加的偏置磁場為：從t＝0時刻起，當電流增大時，該偏置磁場為零；當電流減小時，該偏置磁場為200Oe。
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