[發明專利]用于檢測超薄硅晶圓亞表面損傷深度的試樣制備方法有效
| 申請號： | 201410264284.5 | 申請日： | 2014-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN104034568A | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發明（設計）人： | 秦飛;閆德寶;孫敬龍;安彤;王仲康;唐亮 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | G01N1/32 | 分類號： | G01N1/32 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 檢測 超薄 硅晶圓亞 表面 損傷 深度 試樣 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于檢測超薄硅晶圓亞表面損傷深度的試樣制備方法，其特征在于，它包括如下步驟：
(1)將整片晶圓切割為多個樣品；
(2)取下任意位置樣品，并將其粘貼到硬度大于硅的金屬板上；粘貼時，晶圓樣品的切割邊緣要超出金屬板的邊緣；且將晶圓的磨削面粘貼到金屬板上；
(3)對粘貼好的試樣進行磨削、拋光、腐蝕處理，具體如下：
(3a)在磨削機上用P800砂紙打磨試樣直至露出試樣截面；
(3b)用P2000砂紙對步驟(3a)處理過的截面進行精磨5～10min,；
(3c)用自來水沖洗步驟(3b)精磨過的截面，在拋光機上對其進行拋光，使用粒度為0.5μm的拋光液拋光20～30min；
(3d)用步驟(3c)拋光過的截面，用粒度為0.25μm的拋光液拋光20～30min；
(3e)用自來水沖洗步驟(3d)拋光過的截面，用楊氏溶液對截面進行腐蝕15～20s后取出立即用酒精沖洗截面；
(3f)將步驟(3e)處理過的樣品放入盛有新酒精的燒杯中，一同放入超聲波清洗儀里清洗10～15min；
(3g)將步驟(3f)清理好的試樣取出并吹干，放入試樣袋中，避免將試樣暴露在空氣中。
2.根據權利要求1所述的用于檢測超薄硅晶圓亞表面損傷深度的試樣制備方法，其特征在于,所述的晶圓為厚度在300μm以下的超薄晶圓。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京工業大學，未經北京工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410264284.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
