[發(fā)明專利]一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410263938.2
• 申請(qǐng)日: 2014-06-13
• 公開（公告）號(hào): CN104035619B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程泰毅;趙祥桂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海思立微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041;H01L27/02
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司31229
• 代理人: 曾耀先

1.一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，包括：感應(yīng)單元陣列，所述感應(yīng)單元陣列包括多個(gè)彼此間隔設(shè)置的感應(yīng)單元，其中，所述感應(yīng)單元內(nèi)設(shè)置有將靜電電流流出所述感應(yīng)單元的第一ESD保護(hù)單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，還包括形成于相鄰所述感應(yīng)單元之間的第二ESD保護(hù)單元，其中，所述第一ESD保護(hù)單元和第二ESD保護(hù)單元被配合設(shè)置為由所述第一ESD保護(hù)單元將所述感應(yīng)單元內(nèi)的靜電電流流向所述第二ESD保護(hù)單元。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述第二ESD保護(hù)單元的抗ESD能力強(qiáng)于所述第一ESD保護(hù)單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述感應(yīng)單元由多個(gè)感應(yīng)單元塊組成，所述感應(yīng)單元塊包括頂層感應(yīng)區(qū)域、金屬走線層、N型阱區(qū)域、P型阱區(qū)域及深處N型阱區(qū)域，相鄰所述感應(yīng)單元塊的同一N型阱區(qū)域和/或同一P型阱區(qū)域被連通設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述第二ESD保護(hù)單元包括NMOS_ESD、GGNMOS以及與NMOS_ESD和GGNMOS關(guān)聯(lián)設(shè)置、供驅(qū)動(dòng)所述NMOS_ESD和所述GGNMOS的驅(qū)動(dòng)單元。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述第二ESD保護(hù)單元還包括開關(guān)單元，所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)所述開關(guān)單元可選擇地切換控制所述NMOS_ESD和所述GGNMOS。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述感應(yīng)單元以矩陣排列，所述驅(qū)動(dòng)單元位于以矩陣排列的所述感應(yīng)單元的行與列的交匯處，其中，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)行或列的任一側(cè)電性連接有相同數(shù)量的所述NMOS_ESD。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元四周鄰設(shè)有與該驅(qū)動(dòng)單元直接相連相同數(shù)量的NMOS_ESD。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，在所述第二ESD保護(hù)單元中，所述GGNMOS的數(shù)量多于所述NMOS_ESD的數(shù)量。