[發明專利]雙向光控晶體閘流管芯片、光觸發耦合器和固態繼電器

有效

• 申請號: 201410263931.0
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104241435A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 一條尚生;鞠山滿
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L31/111
• 分類號: H01L31/111;H01L31/0352;H01L31/18;H03K17/78
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種雙向光控晶體閘流管芯片，其特征在于：

具備在1個半導體芯片的表面相互分離地形成的第一光控晶體閘流管部和第二光控晶體閘流管部，

所述各光控晶體閘流管部具有PNPN部，該PNPN部包括：在一個方向延伸并且具有N型和P型中的一種導電類型的陽極擴散區域；具有N型和P型中的另一種導電類型的襯底；與所述陽極擴散區域相對的具有所述一種導電類型的控制極擴散區域；和在該控制極擴散區域內與所述陽極擴散區域相對地形成并且具有所述另一種導電類型的陰極擴散區域，

在將作為所述陽極擴散區域的延伸方向的所述一個方向設為第一方向，將與所述第一方向正交并且與所述襯底的表面大致平行的方向設為第二方向的情況下，所述半導體芯片的最外周的芯片端面與所述控制極擴散區域在所述第二方向的距離為400μm以下。

2.如權利要求1所述的雙向光控晶體閘流管芯片，其特征在于：

所述各光控晶體閘流管部中，

所述控制極擴散區域配置在比所述陽極擴散區域更靠所述芯片端面側的位置。

3.如權利要求2所述的雙向光控晶體閘流管芯片，其特征在于：

所述各光控晶體閘流管部中，

所述陽極擴散區域與所述基極擴散區域在所述第二方向的分離距離為200μm以上并且300μm以下。

4.一種光觸發耦合器，其特征在于，包括：

權利要求1至權利要求3中任一項所述的雙向光控晶體閘流管芯片；和

發光二極管。

5.一種固態繼電器，其特征在于，包括：

權利要求4所述的光觸發耦合器；和

緩沖電路。