[發(fā)明專利]一種MEMS壓阻式加速度傳感器及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410263747.6
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104062462A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發(fā)明（設計）人: 董健;蔣恒;孫笠
• 申請（專利權）人: 浙江工業(yè)大學
• 主分類號: G01P15/12
• 分類號: G01P15/12;B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 黃美娟;王兵

1.一種基于陽極鍵合封裝的MEMS壓阻式加速度傳感器，其特征在于所述的傳感器具有第一鍵合玻璃-硅基-第二鍵合玻璃三明治結(jié)構(gòu)；所述的硅基內(nèi)部形成有壓阻式加速度傳感器懸臂梁，硅基的正面形成有壓阻式加速度傳感器的壓阻區(qū)域，所述壓阻式加速度傳感器的壓阻區(qū)域位于壓阻式加速度傳感器懸臂梁的上表面根部，并且注入有淡硼形成4根淡硼擴散壓阻，同時淡硼擴散壓阻的內(nèi)部注入有濃硼形成濃硼歐姆接觸區(qū)，所述壓阻式加速度傳感器壓阻區(qū)域的上方沉積有二氧化硅層，二氧化硅層上方沉積有第一氮化硅層，所述的二氧化硅層和第一氮化硅層一起作為絕緣鈍化層，所述的絕緣鈍化層開有引線孔，利用金屬導線連通壓阻區(qū)域，并且壓阻式加速度傳感器壓阻區(qū)域的4根淡硼擴散壓阻通過金屬導線構(gòu)成惠斯頓全橋連接，所述金屬導線的上方沉積有第二氮化硅層，所述第二氮化硅層的上方沉積有非晶硅，并且，利用非晶硅作為臺階，所述的非晶硅與第一鍵合玻璃鍵合后形成一個真空腔體；所述硅基的正面還形成有濃硼導線，所述濃硼導線的上方連接有金屬管腳，濃硼導線將傳感器工作區(qū)與金屬管腳連通，所述硅基的背面與第二鍵合玻璃陽極鍵合。

2.如權利要求1所述的基于陽極鍵合封裝的MEMS壓阻式加速度傳感器，其特征在于所述的壓阻式加速度傳感器壓阻區(qū)域的淡硼擴散壓阻的排布方式為：縱向沿硅基的(1,1,0)晶向方向、橫向沿硅基的(1,-1,0)晶向方向分布，縱向壓阻系數(shù)、橫向壓阻系數(shù)分別為71.8、-66.3。

3.如權利要求1所述的基于陽極鍵合封裝的MEMS壓阻式加速 度傳感器，其特征在于所述的壓阻式加速度傳感器為雙懸臂梁設計，壓阻式加速度傳感器壓阻區(qū)域的淡硼擴散壓阻為4組，每組由兩個平行的淡硼擴散壓阻組成，其中兩組對橋臂淡硼擴散壓阻對稱分布在懸臂梁上表面根部的應力集中區(qū)域，另外兩組淡硼擴散壓阻對稱分布在零應力區(qū)。

4.如權利要求1所述的基于陽極鍵合封裝的MEMS壓阻式加速度傳感器，其特征在于所述的金屬管腳有4個，第一管腳接壓阻式加速度傳感器輸出負，第二管腳接地，第三管腳接壓阻式加速度傳感器輸出正，第四管腳接電源正極。

5.如權利要求1～4所述的基于陽極鍵合封裝的MEMS壓阻式加速度傳感器，其特征在于所述的硅基為n型(100)硅片。

6.如權利要求1～4所述的基于陽極鍵合封裝的MEMS壓阻式加速度傳感器，其特征在于所述的第二氮化硅層上方沉積的非晶硅的厚度為2～4μm。