[發明專利]光電轉換設備以及光電轉換設備的制造方法

有效

• 申請號: 201410263602.6
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104241305B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 渡邊高典;三木崇史;飯田聰子;小林昌弘;巖田旬史
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 康建忠

1.一種光電轉換設備，包括：

半導體基板；

設置在所述半導體基板中的包括第一導電類型的第一半導體區域和第二半導體區域的光電轉換部；以及

被配置用于傳送第一半導體區域和第二半導體區域的電荷的傳送部，

其中，第一半導體區域沿平行于半導體基板的表面的第一方向延伸，

其中，第一半導體區域包括具有與第一半導體區域的不同部分的雜質濃度相比較低的雜質濃度的部分，

其中，第二半導體區域設置在該具有較低的雜質濃度的部分之下，以及

其中，第一半導體區域的沿第一方向的長度大于第二半導體區域的沿第一方向的長度。

2.根據權利要求1所述的光電轉換設備，還包括：

設置在第一半導體區域之上的第二導電類型的第三半導體區域。

3.根據權利要求1所述的光電轉換設備，其中，該具有較低的雜質濃度的部分在平行于半導體基板的表面的平面上的正交投影和第二半導體區域在該平面上的正交投影相互一致。

4.根據權利要求1所述的光電轉換設備，其中，該具有較低的雜質濃度的部分在平行于半導體基板的表面的平面上的正交投影包圍第二半導體區域在該平面上的正交投影。

5.根據權利要求1所述的光電轉換設備，其中，第二半導體區域在平行于半導體基板的表面的平面上的正交投影包圍該具有較低的雜質濃度的部分的在該平面上的正交投影。

6.根據權利要求1所述的光電轉換設備，

其中，傳送部包括傳送柵極電極，以及

其中，從第二半導體區域在平行于半導體基板的表面的平面上的正交投影的中心到傳送柵極電極在該平面上的正交投影的距離小于從第一半導體區域在該平面上的正交投影的中心到傳送柵極電極在該平面上的正交投影的距離。

7.一種光電轉換設備，包括：

半導體基板；

設置在所述半導體基板中的包括第一導電類型的第一半導體區域和第二半導體區域的光電轉換部；

被配置用于傳送第一半導體區域和第二半導體區域的電荷的傳送部；

設置在第一半導體區域之上的第二導電類型的第三半導體區域；以及

第二導電類型的第四半導體區域，

其中，第一半導體區域包括第一部分和與第一部分不同的第二部分，

其中，第一部分、第二部分以及第四半導體區域設置在相同深度處，

其中，第一部分、第四半導體區域以及第二部分沿與半導體基板的表面平行的第一方向依次布置，

其中，第二半導體區域設置在第四半導體區域之下，以及

其中，第一半導體區域的沿第一方向的長度大于第二半導體區域的沿第一方向的長度。

8.根據權利要求7所述的光電轉換設備，其中，第二半導體區域在平行于半導體基板的表面的平面上的正交投影和第四半導體區域在該平面上的正交投影相互一致。

9.根據權利要求7所述的光電轉換設備，其中，第二半導體區域在平行于半導體基板的表面的平面上的正交投影包圍第四半導體區域在該平面上的正交投影。

10.根據權利要求7所述的光電轉換設備，其中，第四半導體區域在平行于半導體基板的表面的平面上的正交投影包圍第二半導體區域在該平面上的正交投影。

11.根據權利要求7所述的光電轉換設備，

其中，傳送部包括傳送柵極電極，以及

其中，從第二半導體區域在平行于半導體基板的表面的平面上的正交投影的中心到傳送柵極電極在該平面上的正交投影的距離小于從第一半導體區域在該平面上的正交投影的中心到傳送柵極電極在該平面上的正交投影的距離。