[發明專利]一種芯片修復方法和裝置

有效

• 申請號: 201410262145.9
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN105206307B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 張君宇;蘇志強
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 蘇培華

本發明提供了一種芯片修復方法和裝置，以解決芯片的ECC區域無法修復，導致芯片最終讀取出的數據出現錯誤，以及芯片資源利用率低的問題。所述方法包括：分別獲取主陣列中的發生故障的存儲單元的第一地址信息和存儲有錯誤編碼糾正冗余位的發生故障的存儲單元的第二地址信息；將第一地址信息和第二地址信息分別映射到冗余資源的地址信息，對芯片進行修復。本發明可以同時對主陣列和ECC區域進行修復，提高了芯片的可靠性，進而提高了產品良率。并且將第二地址信息映射到冗余資源的地址信息，充分利用了冗余資源，提高了芯片資源的利用率。

技術領域

本發明涉及電子技術領域，特別是涉及一種芯片修復方法和裝置。

背景技術

隨著工藝節點的降低，芯片面積的增大，芯片的容量的顯著提升，芯片的良率面臨著巨大的挑戰?，F在的芯片中，有幾千到幾十億個Flash存儲單元，由于工藝的不一致性，以及其他各種各樣的外界因素，將不可避免的導致其中的個別存儲單元性能較差甚至無法使用。遇到這種情況，若芯片中沒有修復功能，將導致整個芯片無法工作，被當作廢片。當加入修復功能后，可以自動利用冗余資源替換出錯單元，實現壞點的自動修復，從而將壞點較少的芯片變為可用的正常芯片，從而提高產品的良率。

在多值存儲(Multi-Level Cell，MLC)的芯片中，通常需要在冗余(Redundancy)修復之外加入錯誤編碼糾正(Error Correcting Code，ECC)，從而提高芯片讀取數據的可靠性。但是由于MLC的芯片本身的易錯性，用于存儲ECC冗余位的ECC區域與存儲數據的主陣列有著相同的出錯幾率，因此需要對ECC區域也能夠進行Redundancy修復。

芯片存儲陣列的組成一般如圖1所示，由主陣列，冗余資源和ECC區域組成。在傳統的芯片修復過程中，將冗余資源僅用于主陣列中壞點的修復。當主陣列中的某個存儲單元出現缺陷導致無法正常存儲時，這個存儲單元就為一個壞點，將壞點的地址映射到冗余資源中去，實現冗余資源對壞點的替換。實現替換后，主陣列中的數據在讀取時，將沒有錯誤信息。但是在加入了ECC后，芯片最終輸出的數據將是主陣列和ECC區域數據的組合運算后的結果，因此，ECC區域的數據可靠性與主陣列有著同等的重要性，若是ECC區域出現壞點，同樣可能導致芯片最終讀取出的數據出現錯誤。

發明內容

本發明提供一種芯片修復方法和裝置，以解決芯片的ECC區域無法修復，導致芯片最終讀取出的數據出現錯誤，以及芯片資源利用率低的問題。

為了解決上述問題，本發明提供了一種芯片修復方法，所述芯片包括主陣列、錯誤編碼糾正區域和冗余資源，所述方法包括：

分別獲取所述主陣列中的發生故障的存儲單元的第一地址信息和存儲有錯誤編碼糾正冗余位的發生故障的存儲單元的第二地址信息；

將所述第一地址信息和所述第二地址信息分別映射到所述冗余資源的地址信息，對所述芯片進行修復。

優選地，所述第二地址信息包括：位于所述錯誤編碼糾正區域，且與所述主陣列的頁地址相鄰的地址的信息。

優選地，所述獲取存儲有錯誤編碼糾正冗余位的發生故障的存儲單元的第二地址信息，包括：

從所述主陣列的頁地址的起始地址遞增訪問至結束地址之后，設置所述錯誤編碼糾正區域的使能信號為有效狀態；

訪問與所述主陣列的頁地址相鄰的錯誤編碼糾正區域的地址，獲取所述第二地址信息；

其中，所述使能信號為有效狀態時，訪問所述主陣列的頁地址之后，繼續訪問與所述主陣列的頁地址相鄰的錯誤編碼糾正區域的地址；所述使能信號為無效狀態時，訪問所述主陣列的頁地址之后，訪問所述主陣列的下一組頁地址。

優選地，所述第二地址信息由n個比特數據地址的信息組成；所述比特數據地址為位于所述主陣列，且依次位于所述主陣列的頁地址中的n個地址內的，存儲主陣列數據的地址的下一個地址；