[發明專利]用于嵌入式SiGe改良的鰭型場效晶體管間隔物蝕刻

有效

• 申請號: 201410261615.X
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN104241136B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 宇宏;亞安·海克索;柯哈納·布尼特
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種制造半導體裝置的方法，包括：

形成柵極在具有硅鰭片的襯底上，該柵極具有氮化物帽蓋在其上表面以及氧化物帽蓋在該氮化物帽蓋的上表面；

形成介電層在該硅鰭片和該柵極上面；

從該氧化物帽蓋的上表面和該硅鰭片的上表面移除該介電層；

使該硅鰭片凹陷；以及

從該硅鰭片的側表面移除該介電層，并且移除殘余的該硅鰭片。

2.根據權利要求1所述的方法，包括使該硅鰭片凹陷50埃到的深度。

3.根據權利要求1所述的方法，包括以對氧化物和氮化物具有選擇性的蝕刻劑使該硅鰭片凹陷。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，該蝕刻劑由包含溴化氫(HBr)、六氟化硫(SF₆)、三氟化氮(NF₃)、四氟化碳(CF₄)、或其他氟基化學的干蝕刻劑，或是包含四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨(TEAH)、氫氧化鉀(KOH)、或氫氧化銨(NH₄OH)的濕蝕刻劑組成。

5.根據權利要求1所述的方法，包括通過蝕刻從該硅鰭片的側表面移除該介電層。

6.根據權利要求5所述的方法，包括以對氧化物和硅具有選擇性的蝕刻劑從該硅鰭片的側表面蝕刻該介電層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，該蝕刻劑由包含三氟甲烷(CHF₃)、氟甲烷(CH₃F)、二氟甲烷(CH₂F₂)、CF₄、或其他烴的干蝕刻劑，或是包含磷酸(H₃PO₄)的濕蝕刻劑組成。

8.根據權利要求1所述的方法，包括使該鰭片下方的該襯底凹陷。

9.根據權利要求8所述的方法，包括使該鰭片下方的該襯底凹陷到的深度。

10.根據權利要求8所述的方法，包含通過蝕刻來使該襯底凹陷。

11.根據權利要求10所述的方法，包括以對氮化物具有選擇性的蝕刻劑來蝕刻該襯底，其中，該蝕刻劑由包含HBr、SF₆、NF₃、CF₄、或其他氟基化學的干蝕刻劑，或是包含TMAH、TEAH、KOH、或NH₄OH的濕蝕刻劑組成。

12.根據權利要求1所述的方法，包含通過蝕刻來從該氧化物帽蓋的上表面和該硅鰭片的上表面移除該介電層。

13.根據權利要求1所述的方法，包含通過毯覆式沉積到到的厚度來形成該介電層。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，該介電層包含氮化硅或包含有低k電介質SiOCN或SiBCN的其他電介質。

15.一種制造半導體裝置的方法，包括：

鄰近硅鰭片地形成硅柵極在硅晶圓上，該硅柵極具有氮化物帽蓋在其上表面和在該氮化物帽蓋的上表面上的氧化物帽蓋；

毯覆式沉積硅介電層在該硅鰭片、該硅柵極、和該晶圓上面；

以包含CHF₃、CH₃F、CH₂F₂、CF₄、或其他烴的干蝕刻劑，或是包含H₃PO₄的濕蝕刻劑從該氧化物帽蓋的上表面、該硅鰭片的上表面、和該硅晶圓的上表面蝕刻該硅介電層；

使該硅鰭片凹陷到到的深度；以及

以包含HBr、SF₆、NF₃、CF₄、或其他氟基化學的干蝕刻劑，或是包含TMAH、TEAH、KOH、或NH₄OH的濕蝕刻劑從該硅鰭片的側表面蝕刻該硅介電層并移除殘余的該硅鰭片。

16.根據權利要求15所述的方法，包含以包含HBr、SF₆、NF₃、CF₄、或其他氟基化學的干蝕刻劑，或是包含TMAH、TEAH、KOH、或NH₄OH的濕蝕刻劑來使該硅鰭片的第一部分凹陷。

17.根據權利要求15所述的方法，包括使該鰭片下方的該硅晶圓凹陷到的深度。